Lesubstratpolide8poucesN-typeSiouiCdouble-sideestunPlaquetteencarburedesiliciumAvecundiamètrede8pouces(environ200millimètres),traitéparpolissagedoublecôtépourobteniruneplanéitéetunedouceurélevées,utilisédanslafabricationdedispositifsélectroniquesdehautepuissancetelsquelesMOSFETsd...

Les substrats polytypes de carbure de silicium sont des matériaux semi-conducteurs clés renommés pour leurs propriétés thermiques, électriques et optiques exceptionnelles, largement utilisés dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique, les MEMS, et divers autres domaines...

Dans l’industrie des semi-conducteurs, les substrats en carbure de silicium (Substrats SIC) jouent un rôle crucial, et la méthode de traitement a un impact direct sur l’efficacité de la production et la qualité des produits. Dans le traitement deSubstrats en carbure de silicium, ...

En aujourd’hui&#Dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, la technologie de croissance épitaxiale en carbure de silicium (SiC) a attiré une attention significative en raison de ses progrès continus dans la qualité du cristal, le taux de croissance, et le champ d’app...

La barrière de Schottky est une barrière de potentiel électrique formée à la jonction entre un métal et un semi-conducteur en raison de la différence de niveau d’énergie entre eux. Dans l’industrie moderne des semi-conducteurs,Gaufrettes SiCOnt émergé comme un choix idéal pour co...

L’écart de bande du carbure de silicium (SiC) ne peut pas être réglé aussi facilement que d’autres matériaux semi-conducteurs tels que le silicium (Si). Ceci est dû à plusieurs raisons: Différences significatives dans la structure cristalline et les propriétés chimiques entr...

Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, 4H semi-isolantPlaquette SiCSe démarquer par leur impressionnante conductivité thermique de 4.9W/cm.k@298K. Cette caractéristique ouvre la porte à une myriade d’applications, ce qui en fait un choix privilégié pour diverses solution...

Le nitrure de Gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur crucial à large bande passante avec de nombreuses propriétés supérieures dans les domaines de l’électronique et de l’optoélectronique. Ce qui suit est les avantages de représentation, les spécifications et les applicatio...

À la pointe de la technologie des semi-conducteurs, l’épitaxie homogène au carbure de silicium offre une multitude d’avantages, permettant des innovations révolutionnaires dans diverses industries. Ainsi JXT Technology Co.,Ltd. Est heureux d’explorer les caractéristiques des maté...

Encequiconcernelesmatériauxdegaufrageencarburedesilicium(SiC),letype4H-HPSIdecarburedesiliciumsedistingueparses caractéristiques exceptionnelles et son large éventail d’applications dans l’industrie des semi-conducteurs. En tant qu’expert en matériaux semi-conducteurs de troisièm...