SiC est un composé binaire formé par des éléments Si et C dans un rapport 1:1, c’est-à-dire 50% Si et 50% C, avec son unité structurelle de base étant un tétraèdre Si-C.Par exemple, Si diamètre de l’atome est plus grand, équivalent à une pomme, tandis que C diamètre de l’atome es...

Les couches épitaxiales de silicium et les substrats sont deux composants importants dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Le substrat est à la base de la fabrication de puces à semi-conducteurs et est principalement fabriqué en silicium monocristallin. La couche...

Lessubstratsjouentunrôlecrucialdanslafabricationdesemi-conducteursetd’appareilsélectroniques.Cessubstratspeuventêtreclassésentroistypesen fonction de leur structure interne: monocristallin, polycristallin et amorphe. Chaque type a des caractéristiques physiques, des procédés de f...

Les plaquettes épitaxiales sont des matériaux essentiels dans l’industrie des semi-conducteurs, cruciaux pour la fabrication de dispositifs à haute performance tels que les puces d’ordinateur, les capteurs et l’électronique de puissance. La production de haute qualitéPlaquettes é...

Substrats en carbure de silicium (SiC)Sont classés en fonction de leur qualité et de leurs caractéristiques, qui déterminent leur aptitude à diverses applications et leur valeur marchande. Les qualités primaires des substrats SiC sont les suivantes:1. Catégorie StandardIl s’agit ...

Croissance épitaxiale d’une couche atomique de silicium sur un substrat de plaquette de silicium, créant ce qui est communément connu comme unPlaquette épitaxiale, offre des avantages substantiels. Dans la technologie du silicium CMOS, la croissance épitaxiale (EPI) est une étape...

Résumé résuméLes substrats en carbure de silicium (SiC) sont essentiels pour les appareils électroniques à haute puissance et à haute fréquence, ainsi que pour les applications optoélectroniques. Cependant, la présence de défauts, souvent appelé " taches de naissance," ...

Le traitement des substrats 4H-SiC comporte les étapes clés suivantes:1. Orientation du cristal: La diffraction des rayons x (DRX) est utilisée pour orienter le lingot. Lorsqu’un faisceau de rayons x est dirigé vers le plan cristallin à orienter, l’orientation du cristal est...

La croissance de 4H-SiC conducteur de 8 pouces (Plaquette en carbure de silicium) wafers est un procédé sophistiqué faisant appel à des techniques précises et à des équipements de pointe. Vous trouverez ci-dessous les principales étapes et les technologies clés impliquées dans la...

Introduction IntroductionLe nitrure de Gallium possède d’excellentes propriétés physiques et chimiques, comme un large espace de bande passante, un champ électrique de rupture élevé et une conductivité thermique élevée, ce qui le rend très prometteur pour les appareils électroniq...