8 poucesCarbure de siliciumLe lingot peut être personnaliséType 4H-NDiamètre :200mmÉpaisseur: 12,88 mmComme suit:

Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération possèdent des avantages de performance qui sont inégalés par les matériaux de silicium. Lorsque l’on considère des caractéristiques telles que la largeur de bande passante, la conductivité thermique et le champ de panne, les ...

1. Si ' S avantages dans les Applications d’énergie verteLe large espace bande du SiC (carbure de silicium), plus de trois fois plus large que celui du Si (silicium) conventionnel, lui permet de résister à des tensions plus de dix fois supérieures. Si &#Les caractéristiques d...

         Carbure de siliciumPlaquette épitaxialeMéthodes de FabricationLa méthode CVD est actuellement la technique la plus utilisée pour la fabrication de plaquettes épitaxiales en carbure de silicium (SiC).1. L’épitaxie est une techn...

Les perspectives deLa SiCLes semi-conducteurs en énergie électrique pratique sont extrêmement prometteurs, avec une croissance soutenue de leur consommation. Lors de l’utilisation de l’énergie électrique, dans tous les processus allant de la production d’énergie à la consommation...

1. L’introduction àÉpitaxie SiCContrairement au procédé de fabrication conventionnel de dispositif de puissance de silicium, les dispositifs de puissance de carbure de silicium ne peuvent pas être directement fabriqués sur le carbure de silicium matériau monocristal. Au lieu de c...

Le nitrure de Gallium (GaN) est apparu comme un matériau prometteur pour divers appareils électroniques et optoélectroniques à haute performance....... Ses propriétés uniques en font une alternative attrayante aux matériaux traditionnels dans de nombreuses applications. Un aspect...

L’industrie des semi-conducteurs est constamment à la recherche de matériaux qui peuvent fournir des performances, une efficacité et une fiabilité améliorées.Substrats en nitrure de Gallium (GaN)Ont émergé comme une solution révolutionnaire, offrant plusieurs avantages distincts ...

Dans le monde en constante évolution de la technologie des semi-conducteurs, chercheurs et ingénieurs cherchent constamment des moyens d’améliorer les performances des appareils à haute fréquence. Une percée qui suscite une attention significative est l’utilisation de gallium gal...

Dans le domaine de la microélectronique, les progrès technologiques continuent de façonner notre monde, permettant des communications plus rapides, une plus grande efficacité énergétique et des appareils plus compacts. L’un de ces progrès, qui possède un potentiel immense, est l’...