La croissance épitaxiale en carbure de silicium (SiC) joue un rôle central dans la production de dispositifs électroniques à haute performance, en particulier les plaquettes SiC epi/epitaxial....... Cet article se penche sur l’importance deSiC épitaxialeLa croissance, les facteur...

Le saphir (Al2O3) appartient au système cristallin hexagonal, avec ses orientations cristallines typiquement définies par des plans cristallins (HKL) et des axes cristallins (a, b, c). Les axes cristallins se composent de trois directions: a, b et c. Parmi celles-ci, les axes a e...

Le carbure de silicium (La SiC) sert de matériau semi-conducteur crucial avec de nombreuses applications dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique et divers autres domaines. Cependant, au cours du processus de croissance deSiC, divers défauts surviennent souvent, impac...

Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, la croissance épitaxiale est une technique pivot, permettant un contrôle précis des structures et des propriétés des cristaux. Cette méthode joue non seulement un rôle crucial dans la fabrication de semi-conducteurs, mais elle favor...

Le processus de fabrication des plaquettes comprend deux étapes clés:Substrat SiCEt épitaxie. Le substrat SiC sert de matériau de base pour les dispositifs à semi-conducteurs, tels que les plaquettes de silicium (Si), qui déterminent leur structure et leurs caractéristiques de ba...

Les matériaux semi-conducteurs ont continuellement évolué, avec chaque génération apportant des progrès dans les performances et les capacités. L’émergence de semi-conducteurs à large bande passante de quatrième génération marque une autre étape importante dans cette progression....

Enphysiquedel’étatsolide,leterme"bandgap"Faitréférenceàladifférenced’énergieentrelabande de valence et la bande de conduction dans les matériaux solides. La bande de valence est la région du niveau d’énergie remplie d’électrons, tandis que la bande de conduction est la ...

En aujourd’hui' S domaine de la microélectronique et des nanotechnologies,Plaquettes en carbure de silicium(SiC wafers) est un matériau largement utilisé avec un potentiel important dans les dispositifs électroniques de haute puissance, les dispositifs optoélectroniques et le...

Présentation:La technologie Epitaxial est une méthode de fabrication de semi-conducteurs utilisée pour faire pousser des films minces cristallins sur des substrats cristallins spécifiques, permettant la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs avec des structures et des fonc...

Lesubstratpolide8poucesN-typeSiouiCdouble-sideestunPlaquetteencarburedesiliciumAvecundiamètrede8pouces(environ200millimètres),traitéparpolissagedoublecôtépourobteniruneplanéitéetunedouceurélevées,utilisédanslafabricationdedispositifsélectroniquesdehautepuissancetelsquelesMOSFETsd...