Lesubstratpolide8poucesN-typeSiouiCdouble-sideestunPlaquetteencarburedesiliciumAvecundiamètrede8pouces(environ200millimètres),traitéparpolissagedoublecôtépourobteniruneplanéitéetunedouceurélevées,utilisédanslafabricationdedispositifsélectroniquesdehautepuissancetelsquelesMOSFETsdepuissance,lesdiodesSchottky,etlesdispositifsRFàhautefréquenceenraisondesesexcellentespropriétésdematériaupourdesapplicationsefficacesetfiables.
Spécificationsde 8poucesN-typeSiCdoublecôtépolisubstrat
| articles | unité | Ultra-P | LaProduction | mannequin | |||||
| ParamètresdeBoule | |||||||||
| Polytype: | -- | 4heures | |||||||
| Erreurd’orientationdeSurfacedeSurface | ....... | 4°vers<11-20>±0.5° | |||||||
| Paramètresélectriques | |||||||||
| Dopant | -- | Azotedetypen | |||||||
| résistivité | ohm.cm | 0.015~0.025ohm.cm N°decatalogue | |||||||
| Paramètresmécaniques | |||||||||
| diamètre | MmMmmm | 200.0±0.2mm | |||||||
| epaisseur | μmmmmmm | 350/500±25μm | |||||||
| Orientationdel’encoche | ....... | [1-100]±5 | |||||||
| Profondeurdel’encoche | mm | 1~1,5mm | |||||||
| Latv | μm | ≤3μm(10mm*10mm) | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤15μm(10mm*10mm) | |||||
| LeTTV | μm | ≤7μm | ≤10μm | ≤20μm | |||||
| arc | μm | -20μm~20μm | -25μm~25μm | -65μm~65μm | |||||
| Lachaîne | μm | ≤30μm | ≤35μm | ≤70μm | |||||
Rugositéavant(Si-face)(AFM) | N°decatalogue | Ra≤0.2N°decatalogue | |||||||
| LaStructure | |||||||||
| Densitédesmicrotuyaux | C/cm² | <²de0.2ea/cm | <2C/cm² | ≤50C/cm² | |||||
| Impuretésmétalliques | Atomes/cm | ≤1e11atomes/cm²(Al,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Pb,Na,K,Ti,Ca,V,Mn) | |||||||
| LeTSD | C/cm² | ²de≤200ea/cm | ²de≤500ea/cm | N°decatalogue | |||||
| BPD(enanglais) | ea/cm² | ≤1000ea/cm² | ²de≤2000ea/cm | N°decatalogue | |||||
| AproposdeTED | ea/cm² | ²de≤3000ea/cm | ≤7000ea/cm² | N°decatalogue | |||||
| Qualitéavant | |||||||||
| devant | Si | ||||||||
Surface finition | Si-CMPSi-faceCMP | ||||||||
| particules | Ea/wafer | ≤60(taille≥0.3μm) | ≤100(taille≥0.3μm) | N°decatalogue | |||||
| rayures | Ce/mm | <5,Totallength≤1/2*diamètre | <5,diamètre≤Totallength | N°decatalogue | |||||
| Copeauxdebord/tirets/fissures/taches/contamination | -- | aucun | |||||||
ZonedePolytype | -- | aucun | |||||||
Laser avant marquage | -- | aucun | |||||||
| Retour qualité | |||||||||
| Finition arrière | -- | C-face poli | |||||||
| rayures | Ce /mm | ≤5, longueur totale ≤ diamètre | |||||||
| Défauts de dos (copeaux de bord/tirets) | -- | aucun | N ° de catalogue | ||||||
| Rugosité du dos | nm | Ra≤5nm | |||||||
Laser arrière marquage | -- | encoche | |||||||
| bord | |||||||||
| bord | -- | chanfrein | |||||||
| emballage | |||||||||
| emballage | -- | Epi-ready avec emballage sous vide | |||||||
| emballage | -- | Multi-wafer ou single wafer cassette emballage | |||||||
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