Avec les progrès continus de l’électronique de puissance, des dispositifs RF et des technologies optoélectroniques, la demande de matériaux semi-conducteurs haute performance augmente. Le carbure de silicium (SiC), avec ses propriétés physiques et électriques supérieures, est devenu un matériau semi-conducteur de troisième génération de premier plan. Parmi eux, les plaquettes épitaxiales SiC excellent dans les applications à haute tension, à haute température et à haute fréquence, ce qui les rend essentiels dans les domaines de l’électronique de puissance et de la communication.

Qu’est-ce qu’une plaquette épitaxiale en carbure de silicium?

Une plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC epitaxial wafer) est un mince film SiC élevé sur un substrat SiC de haute qualité en utilisant un procédé de dépôt chimique de vapeur (CVD). Cette structure homoépitaxiale peut être personnalisée en termes d’épaisseur de couche épitaxiale, de concentration de dopage et de densité de défaut pour répondre aux exigences techniques de divers dispositifs.

Paramètres techniques clés des plaquettes épitaxiales SiC

1. Types de substrat: disponible en substrats conducteurs de type n, conducteurs de type p et semi-isolants SiC pour répondre aux différents besoins d’application.

2. Épaisseur de couche épitaxiale: personnalisable, allant de centaines de nanomètres à des dizaines de micromètres, avec l’uniformité d’épaisseur typique <2%.

3. Concentration de dopage: type n (dopé à l’azote) ou type p (dopé à l’aluminium), allant de 10¹⁴ cm⁻³ à 10¹⁹ cm⁻³, avec une uniformité de Concentration supérieure à ±10%.

4. Contrôle des défauts:

• Surface utilisable supérieure à 95% (sur la base des statistiques de matrices de 2 x 2 mm²).

  
  

• Faible densité de défauts, tels que BPD (Dislocations du plan Basal) <100 cm⁻² et TSD (Dislocations de vis de filetage) <500 cm⁻².

  
  

5. Qualité de Surface: rugosité de Surface Ra < 0,5 nm, TTV (Variation d’épaisseur totale) < 3 μm, Bow < 10 μm, chaîne < 10 μm.

Applications des plaquettes épitaxiales SiC

• Dispositifs électroniques de puissance: utilisé dans SiC MOSFETs, SiC SBDs (Diodes de barrière de Schottky), IGBTs, et JFETs, largement appliqué dans les véhicules électriques, les onduleurs photovoltaïques, les réseaux électriques, et le transport ferroviaire.

  
  

• Appareils RF et micro-ondes: amplificateurs de puissance à haute fréquence pour les stations de base 5G, les communications par satellite et les systèmes radar.

  
  

• Appareils optoélectroniques: détecteurs ultraviolets, diodes laser, led, etc.

  
  

• Appareils à haute température et à haute fréquence: applications de puissance aérospatiale, militaire et industrielle nécessitant une grande fiabilité.

La technologie JXT fournit des plaquettes épitaxiales SiC de haute qualité

JXT Technology propose des plaquettes épitaxiales SiC allant de 2 pouces à 8 pouces, avec une épaisseur épitaxiale personnalisable, une concentration de dopage et des types de substrat pour répondre aux exigences strictes des marchés de l’électronique de puissance, des RF et de l’optoélectronique. Nos produits épiaxiaux SiC se caractérisent par une grande uniformité, une faible densité de défauts et une excellente qualité de surface, fournissant une base matérielle fiable pour les dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération.

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