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JXT  SiC & GaN Wafers Manufacturer
JXT SiC & GaN Wafers fabricant

Votre fournisseur supérieur

Pour tranches de carbure de silicium et de nitrure de gallium.

JXT Semiconductor Wafer Processing
Traitement de plaquettes semi-conducteurs JXT

10+ années d’expérience

Dans le traitement des matériaux semi-conducteurs
Et fabrication de film mince.

JXT SiC & GaN Substrates Supplier
JXT SiC & GaN substrats fournisseur

Se concentrer sur l’innovation des produits
Et l’amélioration technologique.

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JXT SiC & GaN Substrates Supplier
JXT SiC & GaN substrats fournisseur

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Traitement de plaquettes semi-conducteurs JXT

10+ années d’expérience

Dans le traitement des matériaux semi-conducteurs
Et fabrication de film mince.

Ce que nous faisons

2012
Trouvé dans
50+
Équipe technique
250+
Entreprises de services

Catégories principales

Les produits de JXT comprennent des matériaux semi-conducteurs de troisième génération comme des substrats de carbure de silicium (SiC), des substrats de nitrure de gallium (GaN) et des plaquettes d’épitaxie. JXT a évolué pour offrir d’autres matériaux de substrat tels que des substrats de saphir, des substrats d’oxyde de gallium (Ga2O3) et des substrats de diamant CVD.
  • 2 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

    2 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

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  • 3 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

    3 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

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  • Plaquette SiC de 4 pouces (Type 4H-N)

    Plaquette SiC de 4 pouces (Type 4H-N)

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  • 6 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

    6 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

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  • 8 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

    8 pouces SiC Wafer (Type 4H-N)

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  • 2 pouces SiC Wafer (4H semi-isolant)

    2 pouces SiC Wafer (4H semi-isolant)

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  • Testing Equipments

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