Avec les progrès continus de l’électronique de puissance, des dispositifs RF et des technologies optoélectroniques, la demande de matériaux semi-conducteurs haute performance augmente. Le carbure de silicium (SiC), avec ses propriétés physiques et électriques supérieures, est dev...

Le choix des matériaux de substrat joue un rôle crucial dans le développement d’appareils RF (radiofréquence) à haute fréquence et à haute puissance. Le saphir monocristalline (α-Al₂O₃), avec ses propriétés physiques et chimiques exceptionnelles, telles qu’une faible perte diélec...

Introduction IntroductionLe carbure de silicium (La SiC), le nitrure de gallium (GaN) et le saphir (Al₂O₃) sont des matériaux essentiels dans les dispositifs électroniques semi-conducteurs, optoélectroniques et de haute puissance en raison de leurs propriétés physiques et chimiqu...

Alors que la technologie électronique continue de progresser, les matériaux semi-conducteurs à large bande passante sont de plus en plus utilisés dans divers domaines, en particulier dans les dispositifs électroniques qui fonctionnent dans des environnements à haute puissance, à ...

Avec l’avancement rapide de la technologie des semi-conducteurs de troisième génération, les plaquettes en carbure de silicium (SiC) sont devenues un matériau de base dans l’électronique de puissance, les dispositifs RF, et les applications de semi-conducteurs en raison de leur h...

Dans la fabrication de semi-conducteurs, les substrats de plaquettes servent de matériau fondamental pour les circuits intégrés (ci), les dispositifs optoélectroniques et l’électronique de puissance. L’alignement précis est crucial lors de la fabrication, et l’industrie utilise d...

TechnologieHVPE:laméthodedecroissanceclépourlessubstratsmonocristauxGaNdehautequalitéAveclademandecroissantedematériauxàhauteperformanceennitruredegallium(GaN)dansl’électroniquedepuissance,lesdispositifsRF et l’optoélectronique, la production efficace de monocristaux GaN de grand...

Avec le développement rapide des matériaux semi-conducteurs à large bande passante, le carbure de silicium (SiC) est devenu un matériau de base pour l’électronique de puissance et les dispositifs de radiofréquence (RF) en raison de son excellente stabilité thermique, sa forte for...

Avec l’avancement continu de la technologie d’affichage, la Micro-LED a gagné l’attention significative du marché en tant que solution d’affichage de nouvelle génération en raison de sa luminosité élevée, de son contraste élevé, de sa consommation de puissance faible, et de sa lo...

En tant que matériau semi-conducteur de troisième génération, le carbure de silicium (SiC) présente une forte intensité de champ électrique de rupture, un large espace de bande et une conductivité thermique élevée, ce qui le rend largement applicable dans l’électronique de puissa...