Avec la capacité à haute température, la vitesse rapide des électrons, et l’excellente conductivité thermique, la plaquette de carbure de silicium (plaquette SiC comprenant le substrat SiC de Type 4H-N et le substrat SiC semi-isolant) est idéale pour l’électronique automobile, les dispositifs optoélectroniques, et les applications industrielles.
