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6 pouces SiC Wafer (4H semi-isolant)

Informations spécifiques

Les substrats semi-isolants en carbure de silicium (SiC) ont une résistivité élevée et sont principalement utilisés pour l’hétéroépiaxie du GaN. Les dispositifs RF représentés par HEMT combinent l’excellente conductivité thermique de SiC avec la sortie RF haute puissance de GaN dans la gamme à haute fréquence, et sont largement appliqués dans le domaine de communication de nouvelle génération tels que les stations 5G. Les fabricants de plaquettes en carbure de silicium comme JXT jouent un rôle crucial dans la fourniture de ces substrats pour de telles applications.

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spécification
propriétés

Article:	Substrat semi-isolant de SiC 4H (2~6inch)
diamètre	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm	100.0±0.3mm	150.0±0.5mm
epaisseur	500±25μm	500±25μm	500±25μm	500±25μm
Orientation de Surface	{0001} ± 0.2°
Orientation plate primaire	<11-20> ± 5,0 ˚			<1-100>±5°
Longueur plate primaire	16,0 ± 1,5 mm	22.0±1.5mm	32.5±2.0mm	encoche
Orientation plate secondaire	Silicone face vers le haut: 90.0˚ CW de plat primaire ±5.0˚			N/ d
Longueur plate secondaire	8,0 ± 1,5 mm	11,0 ± 1,5 mm	18,0 ± 2,0 mm	N/ d
résistivité	≥1E7 ω ·cm
Finition de Surface avant	Si-Face:CMP, Ra<0.5nm
Finition de Surface arrière	C-Face: polissage optique,Ra<1.0nm
Marque Laser	Face arrière: C-Face
Le TTV	≤10μm	≤15μm	≤15μm	≤15μm
arc	≤25μm	≤25μm	≤30μm	≤40μm
La chaîne	≤30μm	≤35μm	≤40μm	≤60μm
Exclusion de bord	≤3 millimètres

Spécifications de personnalisation:

* diverses tailles et formes telles que 10*10mm

* diverses épaisseurs :0.1~20mm

* diverses orientations telles que hors axe: 8° vers <11-20>±0.5°

* diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage, le polissage.

* des lingots de cristal de carbure de silicium sont disponibles.

Les substrats en carbure de silicium (SiC) voir aussi: voir aussi: sont les matériaux semi-conducteurs de troisième génération et appartiennent à des semi-conducteurs à large bande. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau composé semi-conducteur du groupe IV-IV formé par des éléments C et Si dans un rapport de 1:1 et présente les caractéristiques de résistance à haute température, champ électrique critique élevé de rupture, taux de migration de saturation électronique élevé et conductivité thermique élevée. Par rapport aux dispositifs de puissance base de silicium, les dispositifs de carbure de silicium ront celui de conversion d’ acceptation en raison de sa haute tension, haute, et basse perte. Ce sera l’un des [unused_word0004] les plus basiques et les plus liéres pour la fabrication de puces, de semi-conducteurs, de l’avenir.

Structure cristalline	hexagonale
Constante de grille (nm)	A = 3.076[unused_word0006] C = 10.053[unused_word0006]
⊑ (g/cm)³)	3.21 - le travail
Point de fusion (℃)	2830
Mohs (Mohs)	9,2 % de la population
Constante di[unused_word0006]	Taux de croissance
De bande (eV)	3.26 de travail
Champ emon de panne (MV/cm)	3.1. - les conditions de travail
Conductior de chaleur (W/cm.K)	4.5 4.5 4.5 4.5 4.5 4.5
Expansion thermique	4,7 *10^{6 -6}/k
Indice de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa	2.6767~2.6480

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