Les substrats polytypes de carbure de silicium sont des matériaux semi-conducteurs clés renommés pour leurs propriétés thermiques, électriques et optiques exceptionnelles, largement utilisés dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique, les MEMS, et divers autres domaines. En tant que fournisseurs de substrats de polytype de carbure de silicium,Plaquette en carbure de siliciumLes fournisseurs jouent un rôle crucial en fournissant les plaquettes essentielles en carbure de silicium nécessaires à la fabrication de ces dispositifs à semi-conducteurs. Les différents polytypes SiC possèdent des structures cristallines et des caractéristiques de performance distinctes, conduisant ainsi à des écarts dans des applications spécifiques et des trajectoires de recherche. Cet article vise principalement à juxtaposer les caractéristiques, les applications spécifiques et les trajectoires de recherche du carbure de silicium 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC.

1. Analyse Comparative:

4H-SiC et 6H-SiC appartiennent tous deux au système cristallin hexagonal, mais avec de légères disparités dans la structure cristalline. 4H-SiC présente une séquence d’empilement ABABAB, tandis que 6H-SiC montre une séquence d’empilement ABCABC. En revanche, le 3C-SiC possède une structure cristalline cubique.

4H-SiC et 6H-SiC présentent généralement une qualité cristalline plus élevée et une densité de défaut plus faible, tandis que 3C-SiC tend à présenter une qualité cristalline comparativement inférieure.

4H-SiC et 6H-SiC trouvent de nombreuses applications dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique et le MEMS, tandis que 3C-SiC, en raison de sa compatibilité supérieure avec les substrats de silicium, est fréquemment employé dans la fabrication de dispositifs MEMS.

2. Applications spécifiques:

Les Applications 4H-SiC et 6H-SiC englobent la fabrication de dispositifs électroniques de puissance (par exemple, mosfet, igbt, diodes Schottky), de dispositifs optoélectroniques (par exemple, led, lasers), etc., présentant des performances remarquables dans des environnements à haute température, à haute fréquence et à haute puissance.

Le 3C-SiC, en raison de sa compatibilité accrue avec les substrats de silicium, est couramment utilisé dans la fabrication de dispositifs MEMS (par exemple, capteurs de pression, accéléromètres, dispositifs inertiels), présentant des perspectives d’applications prometteuses dans le domaine des systèmes microélectromécaniques.

3. Trajectoires de recherche:

Les efforts de recherche concernant le 4H-SiC et le 6H-SiC se concentrent principalement sur l’amélioration de la qualité du cristal, l’affinage des procédés de fabrication et l’innovation de nouveaux dispositifs pour répondre à l’évolution des demandes technologiques et du marché.

En ce qui concerne le 3C-SiC, la recherche se concentre principalement sur l’augmentation de la qualité des cristaux, l’augmentation des taux de croissance des cristaux, l’optimisation des propriétés de liaison avec les substrats de silicium et l’élargissement de ses applications dans la fabrication de dispositifs MEMS.

Caractéristiques physiques de plusieurs matériaux semico nducteurs à température ambiante (25°) 

Conclusion:

Le carbure de silicium 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC présente des disparités dans la structure cristalline, les applications et les trajectoires de recherche. Grâce à l’amélioration ciblée de la recherche, ces matériaux SiC seront mieux en mesure de répondre aux diverses exigences de divers domaines, catalysant ainsi leur adoption et leur commercialisation à grande échelle dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique, les MEMS et les domaines connexes.