Le carbure de silicium (La SiC) sert de matériau semi-conducteur crucial avec de nombreuses applications dans l’électronique de puissance, l’optoélectronique et divers autres domaines. Cependant, au cours du processus de croissance deSiC, divers défauts surviennent souvent, impactant de manière significative le matériel et#39; S performance et fiabilité de l’appareil. Par conséquent, il est primordial de comprendre les types de ces défauts, les méthodes de détection et les approches visant à améliorer la qualité du SiC.

Types de défauts:

1. Luxations:

Les Dislocations, y compris les défauts de ligne et de point dans le réseau cristallin, influent sur le matériau.#39; S propriétés électriques et mécaniques.

2. Limites de Grain:

Les Interfaces entre les grains cristaux, connues sous le nom de limites de grains, peuvent influencer le matériau et#39; S propriétés électriques et stabilité.

3. Défauts ponctuels:

Les défauts ponctuels, tels que les postes vacants, les interstitiels et les impuretés, peuvent avoir une incidence sur le matériel et#39; S propriétés électriques et optiques.

4. Variations de Polytype:

Le SiC peut exister dans différents polytypes comme 4H-SiC et 6H-SiC, et les transitions entre ces polytypes peuvent affecter les propriétés des matériaux.

5. Granulométrie et Distribution inhomogènes:

Les Variations dans la taille et la distribution des grains peuvent entraîner des différences dans les propriétés des matériaux.

6. Présence d’impuretés:

Les impuretés comme l’oxygène, l’azote et l’aluminium peuvent affecter le matériel et#39; S propriétés électriques et stabilité.

Méthodes de détection:

Microscopie électronique à Transmission (TEM):

Utilisé pour observer la structure cristalline et les défauts comme les dislocations.

Microscopie électronique à balayage (SEM):

Utilisé pour examiner la morphologie de surface et la distribution granulométrique.

Spectroscopie Raman:

Utilisé pour analyser la structure cristalline et les défauts ponctuels.

Diffraction de rayons x (XRD):

Appliqué pour déterminer la structure cristalline et l’orientation du grain.

Méthodes d’amélioration de la qualité:

Optimisation des processus de croissance:

Ajuster les paramètres de croissance pour minimiser la formation de défaut.

Contrôle des Conditions de croissance:

Régulation de la température de croissance, de l’atmosphère, etc., pour favoriser la croissance du cristal et la réparation des défauts.

Sélection des matériaux de substrat appropriés:

Des entreprises comme JXT fournissent des substrats en carbure de silicium de haute qualité dans différents modèles (plaquette en carbure de silicium et substrat SiC). JXT&#L’expérience montre l’importance de fournir des substrats de haute qualité pour la qualité globale des matériaux et dispositifs SiC. Assurer la disponibilité de différents modèles de substrat répond à divers besoins d’application.

Traitements de matériaux post-croissance:

Utiliser des traitements post-croissance comme le recuit, les traitements de surface, etc., pour réduire les défauts et améliorer la qualité des matériaux.

En conclusion, la compréhension des défauts pendant la croissance du SiC, l’utilisation de méthodes de détection appropriées et l’adoption d’approches globales pour améliorer la qualité du SiC sont essentielles pour faire progresser les applications des matériaux SiC. Les idées de la société JXT soulignent l’importance de fournir des services de haute qualitéSubstrats SiCPour assurer la qualité globale des matériaux et dispositifs SiC.