À l’heure actuelle, le carbure de silicium accélère la pénétration dans les nouvelles énergies, les piles de chargement, le transit ferroviaire et d’autres domaines. De plus, en raison de ses caractéristiques de commutation haute vitesse et de faible résistance, il peut présenter...

Dans le monde des technologies d’affichage, deux concurrents de premier plan sont apparus: le microLED et le micro-OLED. Les deux offrent des avantages et des compromis uniques qui les rendent adaptés à des applications spécifiques. Dans ce blog, nous approfondirons les principal...

Actuellement, l’augmentation de la luminosité des led reste un sujet de recherche intense pour les ingénieurs optoélectroniques du monde entier. L’amélioration de la luminosité des LED peut conduire à des domaines d’application plus larges, à une qualité supérieure, à une taille ...

En tant que matériau semi-conducteur de troisième génération,Plaquettes en carbure de siliciumNon seulement ont les avantages de l’écart de bande large, mais ont également une caractéristique d’une meilleure conductivité thermique. Habituellement, les composants électroniques dan...

Classificationdesprocessusdecroissanceépitaxiale                                     1, croissance de cristal de saphir:...

LenitruredeGallium(GaN),entantquematériaudebasepourlessemi-conducteursàlargebandedetroisièmegénération,possèded’excellentespropriétéstellesquelaforcedechampderuptureélevée,lavitesse élevée de dérive des électrons de saturation, une forte résistance aux rayonnements et une bonne s...

L’exposition 2023 des semi-conducteurs photovoltaïques a présenté les dernières avancées en matière de dispositifs et de puces à semi-conducteurs, attirant l’attention des passionnés de technologie et des experts de l’industrie. En tant que technico-commercial, j’ai eu le privilè...

D’une part, nous avons les principaux fabricants d’équipement d’origine luttant au " montez à bord du " Avec les technologies de base, tandis que d’autre part, il ya une capacité de production insuffisante pour le carbure de silicium, conduisant à des défis dans les cha...

Les plaquettes épitaxiales en nitrure de gallium (GaN) à base de saphir sont des matériaux semi-conducteurs de pointe reconnus pour leurs performances exceptionnelles, leurs caractéristiques uniques et leur large éventail d’applications. Ces plaquettes épitaxiales, cultivées sur ...

La plupart des dispositifs GaN actuellement disponibles sur le marché sont de type latéral, qui forment une couche active de nitrure de gallium sur un substrat de silicium. Cela permet de réaliser les caractéristiques haute fréquence du GaN à un coût relativement faible. Cependan...