Actuellement, l’augmentation de la luminosité des led reste un sujet de recherche intense pour les ingénieurs optoélectroniques du monde entier. L’amélioration de la luminosité des LED peut conduire à des domaines d’application plus larges, à une qualité supérieure, à une taille plus petite, à des produits écoénergétiques, à une durée de vie plus longue et à une compétitivité accrue sur le marché. Les substrats de saphir graphique (Al2O3), en tant que matériau de substrat épiaxial GaN le plus important, affectent directement la qualité de croissance GaN et même les paramètres de copeau. La qualité du substrat a un impact direct sur la luminosité du produit final LED. Des modèles de substrat bien conçus peuvent générer une augmentation significative de la réflexion diffuse de la lumière sur la plaquette épitaxiale sous la même source lumineuse, améliorant considérablement la luminosité de la LED. Par conséquent, l’innovation technologique dans les matériaux de substrat LED est un facteur concurrentiel crucial pour les puces semi-conducteurs et sert de matériau fondamental déterminant la compétitivité technologique et de qualité du produit final LED.

Pour améliorer la luminosité des led, les fabricants ont réalisé des gravures en forme de cône sur des substrats Al2O3 pour augmenter la réflectivité de la surface inclinée et améliorer la luminosité. Après plus d’une décennie de développement, le potentiel de l’utilisation de substrats graphiques Al2O3 pour les led a été largement exploré, laissant peu de place à d’autres applications innovantes. Par conséquent, la luminosité des led utilisant des substrats uniques graphiques Al2O3 ne peut plus être augmentée de manière significative. Bien que la luminosité ne puisse pas être améliorée, les substrats graphiques uniques Al2O3 présentent également des lacunes irréparables.

Pour résoudre les problèmes de faible luminosité et de faible vitesse de gravure associés aux substrats Al2O3 uniques traditionnels, certaines entreprises ont transformé de façon créative le substrat unique en substrat composite. Ils ont apporté d’importantes améliorations innovantes basées sur le procédé de substrat graphique traditionnel Al2O3 en introduisant des cônes SiO2. Cette approche améliore la réflectivité diffuse sur la surface du SiO2, dépassant les limites physiques des matériaux d’origine. Il améliore encore la luminosité et le taux de gravure, améliore considérablement les performances du substrat, réduit les coûts du substrat et améliore efficacement l’efficacité de conversion électrique-optique des puces LED. Cette innovation joue un rôle positif dans le développement de l’industrie de la LED en brisant les limites physiques des matériaux existants, en améliorant encore la luminosité et le taux de gravure, et en portant une importance significative.

Liens de produits connexes

Gallium nitrure Wafer (GaN Wafer)