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Les différentes propriétés de SiC, GaN, Si, GaAs, CVD diamond

Avis du comité économique et social, le 15 octobre. Favorable. 24 Aug 2023

Les perspectives deLa SiCLes semi-conducteurs en énergie électrique pratique sont extrêmement prometteurs, avec une croissance soutenue de leur consommation. Lors de l’utilisation de l’énergie électrique, dans tous les processus allant de la production d’énergie à la consommation, il y a un emploi important des dispositifs d’alimentation à semi-conducteurs dans les scénarios impliquant des conversions de tension et de fréquence telles que les transformations AC/DC. Ces dispositifs trouvent également l’application étendue dans les équipements électroniques de puissance terminale, les appareils ménagers, les chemins de fer, et d’autres contextes d’utilisation. Si ces dispositifs d’alimentation à semi-conducteurs peuvent atteindre de faibles pertes et de hautes performances, ils ont le potentiel de réduire considérablement les pertes de consommation d’énergie, contribuant ainsi à alléger les charges environnementales. Les effets d’entraînement de ces réalisations sont également immenses.

Actuellement, presque tous les dispositifs d’alimentation à semi-conducteurs sont fabriqués à partir de semi-conducteurs au silicium (Si), utilisant des techniques de microfabrication pour améliorer les performances. Cependant, l’is approche de ses limites de performance physique et il est difficile de réaliser de nouveaux pas en développement. C’est là qu’intervient l’anticipation des semi-conducteurs électriques SiC de nouvelle génération. 

Let& &#Nous examinerons ci-dessous une comparaison spécifique des performances de différents types de matériaux semi-conducteurs:

SiC, GaN, Si, GaAs, CVD diamond


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