Substrats en carbure de silicium (SiC)Sont classés en fonction de leur qualité et de leurs caractéristiques, qui déterminent leur aptitude à diverses applications et leur valeur marchande. Les qualités primaires des substrats SiC sont les suivantes:

1. Catégorie Standard

Il s’agit de la catégorie la plus basique des substrats SiC, généralement utilisé pour des applications avec des exigences de qualité inférieures ou à des fins d’essai et de recherche. Les caractéristiques comprennent:

Taille:Généralement plus petit, généralement de 2 ou 4 pouces de diamètre.

Densité de défaut:Haute, avec de nombreuses dislocations et microtuyaux.

Traitement de Surface:La Surface peut présenter de nombreux défauts et une faible qualité de polissage, inadaptée à une croissance épitaxiale de haute qualité.

Applications:Principalement utilisé pour les tests, la recherche et le développement, le développement de prototypes et les expériences éducatives.

2. Première catégorie

Les substrats SiC de première qualité offrent une qualité supérieure, adaptée à la fabrication générale de dispositifs à semi-conducteurs avec de bonnes propriétés électriques et mécaniques. Les caractéristiques comprennent:

Taille:Généralement 4 pouces et 6 pouces.

Densité de défaut:Niveaux modérés de luxations et de microtuyaux.

Traitement de Surface:Meilleure qualité polonaise, adaptée aux besoins généraux de croissance épitaxiale.

Applications:Utilisé pour les appareils électroniques de puissance et d’autres applications nécessitant un certain niveau de qualité de substrat.

3. Catégorie épi-prête

Les substrats SiC de qualité Epi-Ready ont une qualité de surface extrêmement élevée, spécialement conçus pour la croissance épitaxiale (par exemple, GaN et SiC epitaxy). Les caractéristiques comprennent:

Taille:Généralement 6 pouces et 8 pouces, pour répondre aux besoins de production à grand volume.

Densité de défaut:Très faible dislocation et densité de microtuyau.

Traitement de Surface:Polissage ultra-élevé sans défauts de surface significatifs, idéal pour une croissance de couche épitaxiale de haute qualité.

Applications:Utilisé pour les appareils électroniques de puissance de haute performance et à haute fiabilité, les RF et les appareils à micro-ondes.

4. Catégorie de haute Performance

Cette catégorie de substrats SiC offre la meilleure qualité et les meilleures caractéristiques, répondant aux exigences d’application les plus exigeantes. Les caractéristiques comprennent:

Taille:Habituellement 6 pouces ou plus.

Densité de défaut:Extrêmement bas, approchant des conditions idéales sans défaut.

Traitement de Surface:Poli et nettoyé selon les normes les plus élevées, entièrement adapté à la croissance épitaxiale avancée et à la fabrication d’appareils à haute performance.

Applications:L’électronique de puissance à extrémité élevé, les dispositifs de RF, à haute fréquence, et les applications de haute puissance, en particulier dans l’aérospatiale, la défense, et les applications industrielles à extrémité élevé.

5. Grades de spécialité

Ces substrats SiC sont adaptés pour des applications spécifiques, nécessitant des caractéristiques spécialement conçues telles que:

Résistivité ultra-élevée:Convient aux appareils RF et micro-ondes.

Types spécifiques de conductivité:Comme les types semi-isolants, utilisés pour des applications à haute fréquence et à faible bruit.

Conductivité thermique élevée:Pour les applications de haute puissance nécessitant une dissipation thermique efficace.

Orientation spéciale du cristal:Orientations personnalisées telles que 4H-SiC ou 6H-SiC pour des besoins spécifiques.

6. Large bande gap Application Grade

Cette nuance est conçue pour les applications de dispositifs à large bande passante, répondant aux exigences pour un fonctionnement dans des environnements à haute température et à haute tension. Les caractéristiques comprennent:

Taille et épaisseur:Généralement plus gros et plus épais pour soutenir le fonctionnement efficace des dispositifs à large bande passante.

Contrôle des défauts:Contrôle Strict de la densité des défauts pour maximiser les performances de l’appareil.

Traitement de Surface:Normes de traitement de surface très élevées, adaptées à la croissance épitaxiale des matériaux à large bande.

Applications:Utilisé dans les véhicules électriques, les onduleurs solaires et les systèmes de gestion de l’énergie industrielle.

Ces classifications aident les utilisateurs à sélectionner le substrat SiC le plus approprié en fonction des besoins spécifiques de l’application, garantissant des performances optimales et une rentabilité.