Le nitrure de Gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur crucial à large bande passante avec de nombreuses propriétés supérieures dans les domaines de l’électronique et de l’optoélectronique. Ce qui suit est les avantages de représentation, les spécifications et les applications deGaN substrat autoportant:

1. Avantages de Performance du substrat autonome GaN

A.Wide Bandgap: le nitrure de Gallium (GaN) possède un large Bandgap, lui permettant d’exceller dans les applications à haute température et à haute puissance. Cela permet aux appareils GaN de maintenir d’excellentes performances dans des environnements à température élevée, comme dans les amplificateurs de puissance radiofréquence et les interrupteurs.

B.High vitesse de dérive de Saturation d’électrons: la vitesse élevée de dérive de Saturation d’électrons est une caractéristique clé de GaN, fournissant des performances supérieures dans les applications à haute fréquence. Cela le rend largement utilisé dans les amplificateurs de puissance de radiofréquence (RF) et de micro-ondes, en particulier dans les systèmes de communication et de radar.

C.mobilité électronique élevée et conductivité thermique: la mobilité électronique élevée contribue à des propriétés exceptionnelles de transport d’électrons, et la conductivité thermique élevée aide à la dissipation thermique efficace, cruciale pour les dispositifs de puissance et les composants électroniques de haute puissance.

D.large plage de fonctionnement de la température: le matériau GaN maintient des performances stables sur une large plage de température, ce qui le rend adapté à divers environnements et applications, y compris les applications industrielles aérospatiales, militaires et à haute température.

Stabilité chimique d’e.good: GaN présente la stabilité chimique relative, résistant à l’oxydation et à la corrosion, contribuant à la longévité et à la stabilité des dispositifs.

2. Spécifications du substrat autoportant GaN 

3. Domaines d’application du substrat autonome GaN

A. dispositifs RF de haute puissance: GaN trouve une application étendue dans les amplificateurs RF de haute puissance et les commutateurs d’alimentation, par exemple dans les stations de base de communication et les systèmes radar, en raison de ses performances exceptionnelles aux hautes fréquences et niveaux de puissance.

B.Optoelectronic Devices: GaN est crucial dans le domaine de l’optoélectronique, étant utilisé dans les led à haute luminosité, les lasers, les photodétecteurs ultraviolets, et d’autres composants optoélectroniques.

C. dispositifs électroniques à haute fréquence à haute température: en raison de ses performances supérieures à haute température, GaN est employé dans la fabrication de dispositifs électroniques à haute fréquence à haute température, en particulier dans les applications militaires et spatiales.

Dispositifs de d.Power: dans l’électronique de puissance, les dispositifs de GaN sont largement utilisés dans des applications telles que les convertisseurs DC-DC et les onduleurs DC-AC.

En résumé, le matériau monocristallin de nitrure de Gallium, en raison de ses excellentes propriétés électroniques et sa stabilité chimique, présente une large gamme d’applications dans les scénarios à haute puissance, à haute fréquence et à haute température.