Dans le domaine des matériaux semi-conducteurs, 4H semi-isolantPlaquette SiCSe démarquer par leur impressionnante conductivité thermique de 4.9W/cm.k@298K. Cette caractéristique ouvre la porte à une myriade d’applications, ce qui en fait un choix privilégié pour diverses solutions de gestion thermique.

1. Conductivité thermique supérieure:

À 298K, les tranches semi-isolantes de 4H présentent une conductivité thermique de 4,9w /cm. K, présentant une remarquable capacité à transférer efficacement la chaleur. Cette propriété inhérente provient de la structure cristalline du carbure de silicium, ce qui en fait un matériau idéal pour les applications où la dissipation de chaleur est critique.

2. Applications en conductivité thermique:

En raison de sa conductivité thermique exceptionnelle, le substrat semi-isolant 4H SiC trouve des applications étendues dans le domaine de la gestion thermique. Quelques applications notables incluent:

A. Collage de plaquettes: la conductivité thermique élevée des plaquettes SiC 4H les rend idéales pour les processus de collage de plaquettes. Que ce soit dans la fabrication de dispositifs d’alimentation ou d’autres composants semi-conducteurs, la dissipation thermique efficace offerte par ces tranches contribue à améliorer les performances et la fiabilité.

B. Matériaux d’interface thermique: les plaquettes peuvent être utilisées dans la production de matériaux d’interface thermique avancés. Ces matériaux jouent un rôle crucial dans l’amélioration du couplage thermique entre les composants électroniques et les dissipateurs de chaleur, améliorant ainsi la fiabilité et les performances globales du système.

C. Matériel de dissipateur de chaleur: les plaquettes trouvent l’application en tant que matériaux de dissipateur de chaleur, tirant efficacement la chaleur loin des composants électroniques. Ceci est particulièrement utile dans les applications où les dissipateurs de chaleur compacts et légers sont essentiels, comme dans l’aérospatiale ou l’électronique automobile.

D.dispositifs de puissance de haute performance: la conductivité thermique améliorée des plaquettes SiC permet la création de dispositifs de puissance de haute performance. Ces appareils peuvent fonctionner à des températures élevées avec une efficacité accrue, ce qui les rend adaptés aux applications dans l’électronique de puissance, les systèmes d’énergie renouvelable et les véhicules électriques.

En conclusion, l’exceptionnelle conductivité thermique des tranches semi-isolantes SiC 4H les positionne comme une Pierre angulaire dans le monde des matériaux semi-conducteurs. De la liaison de plaquettes aux applications en aval, leur capacité à dissiper efficacement la chaleur ouvre des voies à l’innovation dans diverses industries, contribuant ainsi à l’avancement des dispositifs et systèmes électroniques.