Encequiconcernelesmatériauxdegaufrageencarburedesilicium(SiC),letype4H-HPSIdecarburedesiliciumsedistingueparses caractéristiques exceptionnelles et son large éventail d’applications dans l’industrie des semi-conducteurs. En tant qu’expert en matériaux semi-conducteurs de troisième génération, JXT Technology Co., Ltd. (http://www.jxtwafer.com/) présentera un aperçu détaillé des caractéristiques, des avantages et des applications du carbure de silicium 4H-HPSI.

 1. Propriétés de 4H-HPSIPlaquette en carbure de silicium

   Structure cristalline :Hexagonal

   Constante de grille: A = 3,076 lires c= 10,053 lires

   Densité: 3,21 g/cm3

    Point de fusion: 2830℃

   Dureté de Mohs :≈9.2 Les mohs

   Constante diélectrique: C ~ 9,66

   Écart de bande: 3,23 eV

   Champ électrique de panne: 3-5[unused_word0006] 106v /cm

   Conductivité thermique: A ~ 4,9 W/cm· · · · · · · · ·K@298K, C ~ 3,9 l /cm·K@298K

   Dilatation thermique: 4-5⊋ 10-6/K

   Indice de réfraction @750nm:no = 2,61 ne = 2,66

   2. Spécification de 4H-HPSI wafer carbure de silicium

   Diamètre :50.8mm/100mm/150mm

   Épaisseur: 500μm

   Orientation de Surface: sur l’axe :{0001} ± 0.2°

   Orientation plate primaire: parallèle à <11-20>±1°

   Longueur plate primaire: 16mm/32.5mm/47.5mm/ entaille

   Résistivité: ≥ 1e7ω.cm

   Finition de Surface avant: Si-Face:CMP,Ra<0.5nm

   Finition de Surface arrière:  C-Face: polissage optique,Ra<1nm

   Marque de Laser: Face arrière (C-Face)

   TTV: 10-20μm

   Arc: 25-60μm

   Chaîne :30-80μm

3. Applications de plaquette de carbure de silicium 4H-HPSI

Electronique de puissance: le carbure de silicium 4H-HPSI est largement utilisé dans les dispositifs de commutation de puissance de fabrication pour les applications de réseau, les chargeurs de véhicules électriques, et les applications de puissance industrielle, grâce à ses performances à haute température et à sa tolérance à haute tension.

Communication: dans les applications à haute fréquence, le carbure de silicium 4H-HPSI est employé pour fabriquer des amplificateurs de puissance de radiofréquence, des antennes, des équipements à micro-ondes, et plus, offrant une efficacité et des performances plus élevées.

Optoélectronique: le carbure de silicium 4H-HPSI trouve une application dans la fabrication de photodiodes et de diodes laser, répondant aux exigences de la communication, du radar laser et des équipements médicaux, entre autres domaines.

Capteurs: grâce à ses performances exceptionnelles, le carbure de silicium 4H-HPSI présente un potentiel important dans la fabrication de capteurs à haute température pour les applications industrielles et automobiles.

En résumé, le carbure de silicium 4H-HPSI est un matériau polyvalent, qui se distingue par ses caractéristiques uniques, ses avantages exceptionnels et son large éventail d’applications dans l’industrie des semi-conducteurs. Que ce soit pour les appareils électroniques haute température, haute tension, la communication ou les applications de capteurs, ce matériau fournit un support solide pour l’innovation dans divers domaines.