En aujourd’hui&#Dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, la technologie de croissance épitaxiale en carbure de silicium (SiC) a attiré une attention significative en raison de ses progrès continus dans la qualité du cristal, le taux de croissance, et le champ d’application, offrant de grandes perspectives et applications potentielles pourSiC epi wafersDans la future industrie des semi-conducteurs.

Tout d’abord, grâce à l’amélioration continue des procédés de fabrication et des technologies de contrôle, la qualité cristalline de la croissance épitaxiale SiC a connu des progrès remarquables. En optimisant les conditions de croissance et en contrôlant les niveaux d’impureté, la densité des défauts cristallins a été considérablement réduite, jetant une base solide pour améliorer les performances de l’appareil et la fiabilité des plaquettes SiC epi.

Deuxièmement, les fabricants s’efforcent d’améliorer le taux de croissance et l’uniformité de la croissance épitaxiale SiC pour répondre aux exigences de la production à grande échelle de plaquettes SiC epi. Grâce à des innovations dans la conception des réacteurs et les systèmes de transport en phase gazeuse, des taux de croissance plus élevés et une meilleure uniformité ont été atteints, fournissant un support solide pour les applications industrielles à grande échelle des tranches SiC epi.

En outre, l’application de la technologie poly-SiC a introduit de nouvelles voies pour la production de films épitaxiaux SiC à grande échelle et peu coûteux, qui peuvent être utilisés pour les plaquettes SiC epi. La technologie Poly-SiC a été appliquée avec succès dans les cellules photovoltaïques et les systèmes d’énergie solaire, offrant un soutien crucial pour le développement d’applications d’énergie renouvelable utilisant les tranches SiC epi.

Le développement de dispositifs de jonction hétérogènes est également une direction d’application importante pour la technologie de croissance épitaxiale SiC, en particulier pour les plaquettes SiC epi. En utilisant la technologie de croissance épiaxiale SiC, des dispositifs tels que les diodes laser à jonction hétérogène SiC/GaN ont été produits, démontrant un immense potentiel dans les applications à haute puissance et à haute fréquence pour les tranches SiC epi.

Enfin, l’utilisation de la technologie de croissance épitaxiale SiC pour la production de matériaux nanostructurés, tels que les réseaux SiC nanowire, présente de nouvelles opportunités et de nouveaux potentiels pour le développement de dispositifs électroniques flexibles et de capteurs, y compris ceux basés sur les plaquettes SiC epi. Grâce à un contrôle précis des conditions de croissance et des directions de croissance des cristaux, un contrôle précis et la fabrication de matériaux nanostructurés adaptés aux plaquettes SiC epi ont été réalisés.

En conclusion, les progrès continus de la technologie de croissance épitaxiale SiC en termes de qualité cristalline, de taux de croissance et de portée d’application offrent de nouvelles opportunités et défis pour le développement et l’utilisation généralisée des plaquettes SiC epi dans l’industrie des semi-conducteurs. Dans la recherche et la pratique futures, la technologie de croissance épitaxiale SiC continuera de jouer un rôle vital dans l’avancement continu de la technologie des semi-conducteurs et l’expansion des domaines d’application des plaquettes SiC epi.