| Article: | Gaufrette de GaN autonome (2~4inch) | ||
| diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | 100.0±0.3mm |
| epaisseur | 400±30μm | 450±30μm | 450±30μm |
| Orientation de Surface | (0001) ± 0.2°Ga face | ||
| Coupée en morceaux | 0.5° c plan hors angle vers l’axe m | ||
| 0,0 ° c plan hors angle vers l’axe a | |||
| Orientation plate primaire | M-plan (10-10) ± 2,0 ˚ | ||
| Longueur plate primaire | 16,0 ± 1,0 mm | 2,0 ± 1,0 mm | 32,0 ± 1,5 mm |
| Orientation plate secondaire | Ga face vers le haut: 90.0˚ CW de primaire ± 5.0˚ | ||
| Longueur plate secondaire | 8,0 ± 1,0 mm | 11,0 ± 1,0 mm | 18,0 ± 1,5 mm |
| Finition de Surface avant | ≤ 0,3 nm(10μm ningu. de 10μm) | ||
| Finition de Surface arrière | Poli; Gravé à l’eau | ||
| Marque Laser | Face arrière :N-Face | ||
| Le TTV | ≤15μm | ≤25μm | ≤30μm |
| arc | ≤20μm | ≤30μm | ≤40μm |
| La chaîne | ≤30μm | ≤45μm | ≤60μm |
| Exclusion de bord | ≤5 millimètres | ||
Dopage/résistivité | Semi-isolant (carbone): résistivité ≥1E8 ohm-cm | ||
Type n (silicium): résistivité ≤ 0,05 ohm-cm | |||
UID(non dopé): résistivité ≤ 0,2 ohm-cm | |||
Spécifications de personnalisation:
* diverses tailles et formes telles que 10*10mm.
* diverses épaisseurs :0.1~1.0mm
* diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage.
Le nitrure de Gallium (GaN) voir aussi: voir aussi: est un de azote et de Gallium, un semi-conducteur avec une bande passante directe de III et V, et à un large de avaliou avaliou de 3,4 de volt. Nitrure de Gallium (GaN) A fait Les avantages de De la perte de puissance et de la charge de dissipation de chaleur. Il a de grandes perspectives dans l’application de l’opto-sp, des lasers, des dispositifs -sp haute -sp et -sp haute puissance et des dispositifs -sp technologies -sp haute -sp.
| Structure cristalline | hexagonale |
| Constante de grille (nm) | D = 3.1818emon C = 5.1865emon |
| ⊑ (g/cm)3) | 6,15-6 -6 -6 -6 -6,15 |
| Point de fusion (℃) | 2500 |
| Mohs (Mohs) | 9,5 ans et plus |
| Constante di[unused_word0006] | 8,9 % de la population active |
| De bande (eV) | 3,45 lires 3,45 lires |
| Champ emon de panne (MV/cm) | 4,9 et 4,9 |
| Conductior de chaleur (W/cm.K) | 2.3. - |
| Expansion thermique | A = 5,6 *10-6/k c= 3,2 *10-6/k |
