Langue de travail
françaisfrançais
françaisfrançais
allemandallemand
japonaisjaponais

Suivez nous!

facebook linkdin twitter whatsapp
Partager avec nous

Modèles GaN

Informations spécifiques
Les modèles GaN trouvent des applications diverses dans divers domaines, servant de substrats pour la croissance de matériaux semi-conducteurs haute performance. Ils sont essentiels dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques efficaces tels que les led UV et les diodes laser bleues. De plus, les modèles GaN font partie intégrante des amplificateurs de puissance RF et micro-ondes pour les infrastructures de communication 5G et 6G, ainsi que des applications d’électronique de puissance pour les interrupteurs de puissance haute fréquence à haut rendement. Leur polyvalence s’étend à des domaines émergents comme la désinfection UV, l’information quantique et l’informatique quantique en raison de leurs propriétés exceptionnelles telles que des performances optiques et électroniques élevées. JXT est un professionnel GaN modèles fabricant et fournisseur en Chine. Si vous êtes intéressé par les modèles GaN, veuillez nous contacter pour une dernière liste de prix.
Commander sur EBAY Obtenez un devis gratuit
  • spécification
  • propriétés
  • Article:Gabarit GaN (2~6inch)
    diamètre50,8 ± 0,3 mm100.0±0.3mm150.0±0.3mm
    Épaisseur de saphir430±25μm650±25μm1000±25μm
    Surface du substratLa SSPDSPNPSS
    Orientation saphirPlan c

    Type de Conduction /Dopant

    Type n: si-dopage

    UID: non dopé

    Type p: mg-dopage

    La pensée épi-couche<5 μm
    Surface epi-coucheRMS<2nm
    FWHM(002) XRC<150 arcsec
    FWHM(102) XRC<350 arcsec
    Marque LaserCôté arrière
    arc≤80μm≤150μm≤180μm
    Exclusion de bord≤3 millimètres


    Spécifications de personnalisation:

    * diverses tailles et formes telles que 10*10mm.

    * diverse épaisseur de couche épitaxiale :0.1~5μm

    * la croissance et la structure épitiaxiales peuvent être personnalisées.


  • Le nitrure de Gallium (GaN) voir aussi: voir aussi: est un de azote et de Gallium, un semi-conducteur avec une bande passante directe de III et V, et à un large de avaliou avaliou de 3,4 de volt. Nitrure de Gallium (GaN) A fait Les avantages de De la perte de puissance et de la charge de dissipation de chaleur. Il a de grandes perspectives dans l’application de l’opto-sp, des lasers, des dispositifs -sp haute -sp et -sp haute puissance et des dispositifs -sp technologies -sp haute -sp.


    Structure cristallinehexagonale
    Constante de grille (nm)D = 3.1818emon C = 5.1865emon
    ⊑ (g/cm)3)6,15-6 -6 -6 -6 -6,15
    Point de fusion (℃)2500
    Mohs (Mohs)9,5 ans et plus
    Constante di[unused_word0006]8,9 % de la population active
    De bande (eV)3,45 lires 3,45 lires
    Champ emon de panne (MV/cm)4,9 et 4,9
    Conductior de chaleur (W/cm.K)2.3. -
    Expansion thermique A = 5,6 *10-6/k  C = 3,2 *10-6/k


Produits recommandés

2022 © SiC Wafers et GaN Wafers fabricant     Alimenté parBontop