Les substrats autostables GaN, également connus sous le nom de wafers en nitrure de gallium, offrent une excellente conductivité thermique et une qualité cristalline élevée, ce qui les rend adaptés à la fabrication de dispositifs électroniques et optoélectroniques de haute puissance. Leur stabilité mécanique et leur large bande passante permettent des performances supérieures dans les applications à haute fréquence et à haute puissance, y compris les systèmes de communication par micro-ondes et les systèmes radar. Avec des coûts en baisse et des techniques de fabrication avancées, les substrats autonomes GaN offrent des perspectives prometteuses pour une application généralisée dans divers domaines tels que la communication 5G, la communication optique et l’énergie.