| Article: | Substrat de saphir à motifs (2~6inch) | ||
| diamètre | 50,8 ± 0,1 millimètre | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| epaisseur | 430 ± 25μm | 650 ± 25μm | 1000 ± 25μm |
| Orientation de Surface | Plan c (0001) hors angle vers l’axe m (10-10) 0,2 ± 0,1 ° | ||
| Plan c (0001) hors angle vers l’axe a (11-20) 0 ± 0.1° c | |||
| Orientation plate primaire | A-plan (11-20) ± 1,0 ° | ||
| Longueur plate primaire | 16,0 ± 1,0 millimètre | 30,0 ± 1,0 millimètre | 47,5 ± 2,0 millimètres |
| Plan r | 9-o et#39; horloge | ||
| Finition de Surface avant | À motifs | ||
| Finition de Surface arrière | SSP: terre fine,Ra=0.8-1.2um; DSP: épi-poli,Ra<0.3nm | ||
| Marque Laser | Côté arrière | ||
| Le TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| arc | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| La chaîne | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Exclusion de bord | ≤2 millimètres | ||
| Spécification de modèle | Forme Structure | Dôme, cône, pyramide | |
| Hauteur du motif | 1.6~1.8μm | ||
| Diamètre de motif | 2,75 ~ 2,85μm | ||
| Espace de motif | 0.1~0.3μm | ||
Spécifications de personnalisation:
* substrat de saphir à motifs nanométriques (NPSS).
* saphir PSS de différentes orientations.
Substratsaphir
| Structure cristalline | hexagonale |
| Constante de grille (nm) | A = 4.76[unused_word0004] C = 12.99[unused_word0006] |
| ⊑ (g/cm)3) | Taux de croissance |
| Point de fusion (℃) | 2040 |
| Mohs (Mohs) | 9 |
| Constante di[unused_word0006] | 9,3 (avion A) 11,5 (avion C) |
| Conductior de chaleur (W/cm.K) | Taux de croissance de 0,46 |
| Expansion thermique | 6,7 *106 -6 -6 -6/k(plan C) 5,0 *10-6/k(un avion) |
| Indice de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa | 1.762-1.777 |
| Transmission | |
| UV:200~380nm 74%~84% | |
| ⊑ Visible :380~760nm 85% de la population | |
| Infrarouge :760~1000nm 85% de la population | |
| Lointain d’infrarouge :>1000nm 80%~100% |
