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Substrat de saphir de 6 pouces

Informations spécifiques
Le saphir joue un rôle crucial dans des applications spécifiques, comme servir de substrats pour les lasers et les photodétecteurs, ainsi que de substrats pour les led dans le domaine de l’optoélectronique. De plus, dans la fabrication de semi-conducteurs, des substrats de saphir sont utilisés pour produire des led à base de silicium et des dispositifs d’alimentation à haute performance. JXT, en tant que principal fournisseur de plaquettes de saphir, fournit des produits de haute qualité de saphir pour répondre aux demandes de diverses applications, assurant aux clients obtiennent des performances et des résultats fiables dans les domaines de l’optoélectronique et des industries de semi-conducteurs.
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  • spécification
  • propriétés
  • Article:Substrat de saphir (1~8inch)
    diamètre25.4±0.1mm50,8 ± 0,1 mm76,2 ± 0,2 mm100.0±0.2mm125,0 ± 0,3 mm150.0±0.3mm200.0±0.5mm
    epaisseur430±25μm430±25μm500±25μm650±25μm800±25μm1000±25μm1600±25μm
    Orientation de SurfacePlan c (0001) hors angle vers l’axe m (10-10) 0,2 ± 0,1 °
    Plan c (0001) hors angle vers l’axe a (11-20) 0 ± 0,1 °
    Orientation plate primaireA-plan (11-20) ± 1,0 °
    Longueur plate primaire8,0 ± 1,0 mm16,0 ± 1,0 mm2,0 ± 1,0 mm30,0 ± 1,0 mm30,0 ± 2,0 mm47.5±2.0mmencoche
    Finition de Surface avantÉpi-poli,Ra<0.3nm
    Finition de Surface arrièreSSP: sol fin,Ra=0.8-1.2μm; DSP: épi-poli,Ra<0.3nm
    Marque LaserCôté arrière
    Le TTV≤5μm≤8μm≤10μm≤10μm≤15μm≤20μm≤30μm
    arc≤8μm≤10μm≤12μm≤15μm≤25μm≤25μm≤40μm
    La chaîne≤10μm≤12μm≤15μm≤20μm≤30μm≤30μm≤60μm
    Exclusion de bord≤2 millimètres


    Spécifications de personnalisation:

    * différentes orientations telles que A/R/M/N plan, C off M(1°-10°), C off A(1°-10°).

    * diverses tailles et formes telles que 10*10mm,12inch

    * diverses épaisseurs :0.1~20mm

    * diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage, le polissage.

    * des lingots de cristal de saphir sont disponibles.


  • Lesaphir Aluminiumoxydé(α-Al2O3)voiraussi: Avecunestructurehexagonale,[unused_word0004] de trois atomes d’ariane et de deux atomes d’ariane de ariane. Les ⊑ chimiques du cristal de saphir sont -sp stables, insolubles dans l’eau, et excellent De la corrosion aux acides forts et aux alcalis forts. Le cristal de saphir a une du[unused_word0004] de 9 sur l’ -sp Mohs, un point de fusion de 2050°C, un point d’ -sp bullition de 3500°C, et une -sp de fonctionnement maximal de 1900°C. Le saphir gaufrette Une haute Transmission lumineuse, faible conductrice, thermique, bonne isolation, excellent, et Bonne limoges, limoges, limoges, limoges.


    Structure cristallinehexagonale
    Constante de grille (nm)A = 4.76[unused_word0004] C = 12.99[unused_word0006]
    ⊑ (g/cm)3)Taux de croissance
    Point de fusion (℃)2040
    Mohs (Mohs)9
    Constante di[unused_word0006]9.3(un avion)
    11.5(plan C)
    Conductior de chaleur (W/cm.K)Taux de croissance de 0,46
    Expansion thermique 6,7 *106 -6 -6 -6/k(plan C)           5,0 *10-6/k(un avion)
    Indice de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa 1.762-1.777
    Transmission  d’essai: saphir :D76.2*4mm
    UV:200~380nm 74%~84%
    ⊑ Visible :380~760nm 85% de la population 
    Infrarouge :760~1000nm     85% de la population
    Lointain d’infrarouge :>1000nm   80%~100%


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