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Gallium nitrure (GaN) Wafer: une nouvelle ère de l’électronique à haute tension

Avis du comité économique et social, le 15 octobre. Favorable. 05 May 2023

Oui, oui,Gallium nitrure (GaN) wafersOnt révolutionné l’électronique à haute tension. Les dispositifs d’alimentation à base de ganoffrent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicone, tels que des vitesses de commutation plus rapides, une tension de panne plus élevée, une résistance à l’état plus faible et une gestion thermique améliorée.


Gallium Nitride (GaN) Wafer


L’adoption de la technologie GaN se développe rapidement dans divers domaines, y compris les convertisseurs de puissance, les véhicules électriques et les systèmes d’énergie renouvelable. En utilisant des dispositifs d’alimentation à base de ganc, il est possible de créer des systèmes d’alimentation plus efficaces et compacts qu’avec les dispositifs traditionnels à base de silicium.


De plus, les plaquettes GaN sont également utilisées dans les diodes led et laser, qui sont de plus en plus utilisées dans les sources lumineuses de haute qualité, les écrans et les systèmes de communication optique. La technologie GaN a ouvert de nouvelles possibilités pour développer des dispositifs à haut rendement et rentables qui ont un large éventail d’applications dans divers domaines.

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