La plaquette de nitrure de Gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur à large bande passante qui présente des propriétés optoélectroniques uniques, ce qui la rend idéale pour une utilisation dans les dispositifs optoélectroniques tels que les led, les lasers et les photodétecteurs. Certaines des propriétés clés deGaN waferQui en font un excellent matériau pour l’optoélectronique incluent:

Large bande passante: GaN a un large bande passante de 3,4 eV, ce qui lui permet d’émettre de la lumière dans la gamme bleu à ultraviolet.

Mobilité électronique élevée: GaN a une mobilité électronique élevée, ce qui signifie qu’il peut transporter des électrons plus rapidement que les matériaux traditionnels à base de silicium.

Conductivité thermique élevée: GaN a une conductivité thermique élevée, ce qui lui permet de dissiper la chaleur plus efficacement. Ceci est important pour les appareils optoélectroniques qui génèrent beaucoup de chaleur.

Vitesse de saturation élevée: GaN a une vitesse de saturation élevée, ce qui lui permet de gérer des densités de courant élevées sans souffrir d’électron "overflow."

Ces propriétés font de GaN un matériau idéal pour les appareils optoélectroniques qui nécessitent une grande puissance et une grande efficacité. Par exemple, les del à base de gansont déjà utilisées dans les applications d’éclairage parce qu’elles offrent une plus grande efficacité énergétique, un meilleur rendu des couleurs et une durée de vie plus longue que les ampoules à incandescence traditionnelles. À l’avenir, nous pouvons nous attendre à voir encore plus d’applications de l’optoélectronique à base de gan, à mesure que les chercheurs continuent d’explorer ce matériau passionnant.