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12 pouces saphir substrat

Informations spécifiques
JXT Company produit des plaquettes de substrat de saphir de 12 pouces, vitales pour la fabrication de semi-conducteurs dans les dispositifs optoélectroniques tels que les led et les diodes laser en raison de leurs propriétés matérielles exceptionnelles. Avec un diamètre de 300mm, ces plaquettes améliorent l’efficacité de la production et réduisent les coûts par rapport aux plus petites tailles. Malgré les défis techniques, les progrès dans la fabrication permettent à JXT Company de fournir des plaquettes de haute qualité pour les applications optoélectroniques exigeantes.
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  • spécification
  • propriétés
  • Article:Substrat de saphir (12inch)
    diamètre300.0 ± 0.5mm
    epaisseur2000 ± 50μm
    Orientation de SurfacePlan c (0001) hors angle vers l’axe m (10-10) 0 ± 0,5 °
    Plan c (0001) hors angle vers l’axe a (11-20) 0 ± 0,5 °
    Orientation plate primaireA-plan (11-20) ± 1,0 °
    Longueur plate primaireencoche
    Finition de Surface avantÉpi-poli,Ra<0.5nm
    Finition de Surface arrièreDSP: épi-poli,Ra<0.5nm
    Marque LaserN/ d
    Le TTV≤30μm
    arc≤45μm
    La chaîne≤60μm
    Exclusion de bord≤3 millimètres


    Spécifications de personnalisation:

    * différentes orientations telles que A/R/M/N plan, C off M(1°-10°), C off A(1°-10°).

    * diverses tailles et formes telles que 10*10mm,12inch

    * diverses épaisseurs :0.1~20mm

    * diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage, le polissage.

    * des lingots de cristal de saphir sont disponibles.


  • Lesaphir Aluminiumoxydé(α-Al2O3)voiraussi: Avecunestructurehexagonale,[unused_word0004] de trois atomes d’ariane et de deux atomes d’ariane de ariane. Les ⊑ chimiques du cristal de saphir sont -sp stables, insolubles dans l’eau, et excellent De la corrosion aux acides forts et aux alcalis forts. Le cristal de saphir a une du[unused_word0004] de 9 sur l’ -sp Mohs, un point de fusion de 2050°C, un point d’ -sp bullition de 3500°C, et une -sp de fonctionnement maximal de 1900°C. Le saphir gaufrette Une haute Transmission lumineuse, faible conductrice, thermique, bonne isolation, excellent, et Bonne limoges, limoges, limoges, limoges.


    Structure cristallinehexagonale
    Constante de grille (nm)A = 4.76[unused_word0004] C = 12.99[unused_word0006]
    ⊑ (g/cm)3)Taux de croissance
    Point de fusion (℃)2040
    Mohs (Mohs)9
    Constante di[unused_word0006]9.3(un avion)
    11.5(plan C)
    Conductior de chaleur (W/cm.K)Taux de croissance de 0,46
    Expansion thermique 6,7 *106 -6 -6 -6/k(plan C)           5,0 *10-6/k(un avion)
    Indice de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa 1.762-1.777
    Transmission  d’essai: saphir :D76.2*4mm
    UV:200~380nm 74%~84%
    ⊑ Visible :380~760nm 85% de la population 
    Infrarouge :760~1000nm     85% de la population
    Lointain d’infrarouge :>1000nm   80%~100%


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