Le traitement des plaquettes en carbure de silicium (SiC) comporte une série d’étapes allant de la croissance épitaxiale à la fabrication du dispositif. Ici et ici#39; S aperçu du processus:

Croissance épitaxiale:Plaquettes épitaxiales SiCPeut être cultivé par diverses techniques telles que le dépôt chimique de vapeur (CVD) ou le dépôt physique de vapeur (PVD). La croissance épitaxiale implique le dépôt d’une fine couche de SiC sur un substrat, qui sert de point de départ pour la fabrication du dispositif.

Préparation du substrat: leSubstrats SiCDoit être préparé pour la croissance épitaxiale. Cela implique un polissage et un nettoyage de surface pour éliminer toute impureté qui pourrait avoir un impact négatif sur la qualité de la couche SiC.

Tranche de plaquettes: une fois que la couche épitaxiale a été déposée, la plaquette est tranchée en tranches individuelles SiC de tailles spécifiques. Ce processus doit être fait avec précaution pour éviter tout dommage à la couche SiC.

Masque de dispositif et lithographie: un masque est créé qui décrit la forme et la taille désirées de l’appareil. Le masque est ensuite utilisé comme guide en lithographie, ce qui implique le transfert du motif sur la plaquette SiC.

Gravure: après la lithographie, un procédé de gravure est utilisé pour enlever les couches indésirables de SiC de la plaquette. Cela crée la forme et la taille désirées de l’appareil.

Dopage: le dopage implique l’introduction d’impuretés dans le SiC pour créer des régions spécifiques de propriétés conductrices ou semi-conductrices. Le processus est généralement effectué en utilisant l’implantation ionique ou la diffusion.

Fabrication du dispositif: enfin, la plaquette SiC est transformée en dispositif souhaité, tel qu’une diode, un transistor ou un circuit intégré. Ce processus peut comporter d’autres étapes comme la métallisation, l’interconnexion et l’emballage.

Traitement SiC waferNécessite un équipement et une expertise hautement spécialisés. Cependant, les dispositifs qui en résultent offrent des performances supérieures dans les applications à haute puissance et à haute température, ce qui fait du SiC un matériau hautement souhaitable pour l’industrie des semi-conducteurs.