Les substrats de carbure de silicium (SiC) ont gagné beaucoup d’attention dans l’industrie des semi-conducteurs, en particulier dans les dispositifs électroniques de haute puissance. Voici quelques-uns des principaux avantages de l’utilisationSubstrats SiCDans de telles applications:

1. Conductivité thermique élevée: SiC a une conductivité thermique qui est 3-5 fois plus élevée que celle des substrats de silicium (Si). Cela permet une dissipation thermique plus rapide et aide à maintenir la température de l’appareil bas.

2. Tension de panne élevée: les substrats SiC ont une tension de panne élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés. Cela permet de développer des dispositifs capables de fonctionner à haute tension et courants, ce qui les rend idéaux pour les applications à haute puissance.

3. Mobilité électronique élevée: le SiC a une mobilité électronique plus élevée que le Si, ce qui permet le développement d’appareils pouvant fonctionner à des fréquences plus élevées. Ceci est important dans des applications telles que les amplificateurs RF et les circuits de commutation à haute fréquence.

4. Large bande passante: SiC a un large bande passante, ce qui permet le développement de dispositifs pouvant fonctionner à des températures plus élevées. Ceci est important dans les applications à haute température telles que l’électronique de puissance et l’aérospatiale.

5. Pertes de puissance réduites: les substrats SiC ont une plus faible résistance et des pertes de commutation que les substrats Si. Cela permet de réduire les pertes de puissance et d’améliorer l’efficacité des appareils électroniques de haute puissance.

Dans l’ensemble, les substrats SiC offrent plusieurs avantages par rapport aux substrats Si traditionnels dans les appareils électroniques de haute puissance. Grâce à la poursuite de la recherche et du développement, les substrats SiC devraient encore améliorer les performances et l’efficacité dans un large éventail d’applications.