L’épitaxie de nitrure de Gallium (GaN) et les plaquettes monocristallines sont des matériaux clés d’un grand intérêt dans l’industrie des semi-conducteurs. Pour le public cible des instituts de recherche, des universités et des entreprises de technologie des semi-conducteurs, la compréhension des caractéristiques et des avantages de ces matériaux aidera à une meilleure sélection et application dans les domaines pertinents.

1. Application:

1.1 épitaxie de GaN: 

- éclairage LED:GaN épitaxieTrouve une utilisation répandue dans l’éclairage LED, offrant une luminosité élevée et un éclairage économe en énergie en raison de son efficacité lumineuse élevée et ses propriétés d’émission supérieures. 

-Lasers: l’épitaxie GaN détient un grand potentiel dans la technologie laser et peut être appliquée dans des domaines tels que les communications optiques, les écrans laser et les radars laser. - cellules photovoltaïques: le large espace bande et les excellentes propriétés optoélectroniques de GaN epitaxy le rendent adapté à la fabrication de cellules photovoltaïques solaires à haut rendement.

1.2 GaN autoportant Plaquettes: 

- dispositifs électroniques de haute puissance: les tranches monocristallines GaN présentent une mobilité électronique exceptionnelle et une vitesse de déviation de saturation d’électrons élevée, ce qui les rend adaptées aux dispositifs électroniques de haute puissance tels que les amplificateurs de puissance et les onduleurs. - dispositifs RF: les disques monocristaux GaN excellent dans les dispositifs RF à haute fréquence et peuvent être utilisés dans les communications sans fil, les systèmes radar et les communications par satellite. - dispositifs optoélectroniques: les disques monocristaux GaN trouvent une application étendue dans les dispositifs optoélectroniques à haute fréquence, tels que les diodes laser à grande vitesse et les cellules photovoltaïques solaires.

2. Avantages: 

2.1 avantages de GaN Epitaxy:

-qualité monocristalline: GaN epitaxy offre des monocristaux de haute qualité, permettant une croissance de film mince haute performance avec d’excellentes propriétés électriques et optiques.

-contrôlabilité: le processus de croissance de GaN epitaxy peut être contrôlé avec précision pour atteindre les caractéristiques et les structures matérielles souhaitées, répondant aux exigences de diverses applications.

- uniformité de film: GaN epitaxy présente une bonne uniformité de film, permettant des performances cohérentes et une fabrication de dispositif fiable.

2.2 avantages des plaquettes autoportantes GaN:

-intégrité structurelle: les tranches monocristallines GaN possèdent une excellente intégrité structurelle et une qualité de réseau, ce qui contribue à l’amélioration des performances et de la fiabilité des appareils.

- sélectivité de l’orientation du cristal: les tranches monocristallines GaN peuvent atteindre les orientations du plan cristallin désirées par la croissance sélective, répondant aux exigences d’orientation de différentes applications.

Conclusion:

En comparant les applications et les avantages de l’épitaxie GaN et des plaquettes monocristalline, nous pouvons observer leurs forces uniques dans différents domaines. L’épiaxie GaN a de larges perspectives dans l’éclairage LED, les lasers et les cellules photovoltaïques, tandis que les plaquettes monocristallines GaN excellent dans les dispositifs électroniques de haute puissance, les dispositifs RF et les dispositifs optoélectroniques. Le choix du matériau approprié en fonction des exigences spécifiques aura un impact positif sur la recherche, le développement et l’application dans les instituts de recherche, les universités et les entreprises de technologie des semi-conducteurs.