Récemment, un client international renommé a mené une évaluation approfondie de JXT' l 4HPlaquettes en carbure de silicium (SiC)Et a fourni une rétroaction technique détaillée. Le client a évalué des aspects clés tels que la transmission, la réflexion et la qualité cristalline globale, en vérifiant la supériorité de JXT' S 4H-HPSI matériel SiC par des données expérimentales. Ci-dessous, nous présenterons un aperçu technique de JXT' S produits SiC, intégrant les graphiques de test fournis pour mettre en évidence leurs propriétés uniques et leurs avantages concurrentiels.

Transparence matérielle et Performance optique

La courbe de transmission(Voir Figure 1: taux de chômage)Fourni par le client démontre clairement les excellentes performances de transmission de la plaquette SiC 4H-HPSI de JXT sur la plage de longueur d’onde 250 nm à 750 nm. Les données montrent une augmentation rapide de la transmission après 350 nm, qui finit par se stabiliser à environ 70% au-delà de 400 nm. Ce haut niveau de transmission dans le spectre visible (VIS) suggère une très faible densité de défauts de points dans le matériau, ce qui est crucial pour les applications en optoélectronique et les dispositifs de haute puissance. La transparence supérieure assure une efficacité et des performances supérieures dans les appareils où la transmission de la lumière est un facteur clé.

Figure 1

Qualité cristalline et représentation de réflexion

La courbe de réflexion(voir Figure 2: taux de croissance annuel moyen)Illustre les caractéristiques de réflexion de la plaquette SiC 4H-HPSI de JXT mesurée sur une plage de longueur d’onde de 300 nm à 2500 nm. La réflexion atteint un sommet de près de 20% à environ 400 nm avant de chuter considérablement, et se stabilise entre 2% et 5% dans la gamme de 1500 nm à 2500 nm. Cela indique les excellentes performances optiques du matériau sur une large gamme de longueurs d’onde, ce qui le rend parfaitement adapté aux applications de dispositifs optiques qui nécessitent une réflexion minimale et une gestion améliorée de la lumière.

Figure 2

Contrôle des défauts ponctuels et qualité des matériaux

Le rapport du client souligne que la faible densité de défauts ponctuels dans le matériau 4H-HPSI SiC de JXT améliore considérablement sa transparence et ses propriétés optiques. La réduction des défauts ponctuels réduit non seulement la dispersion et l’absorption optiques, mais améliore également la stabilité et l’uniformité globales des plaquettes. Dans les applications électroniques à haute puissance et à haute fréquence, la faible densité de défauts joue un rôle essentiel pour garantir la performance et la fiabilité à long terme des appareils.

Comparaison concurrentielle

Comme le montre la courbe de transmission(Figure 1), JXT' S 4H-HPSI SiC wafer démontre des performances supérieures par rapport à d’autres fournisseurs ' Substrats SiC semi-isolants dopés en v. Dans la plage de longueur d’onde de 350 nm à 750 nm, JXT' S produit présente des taux de transmission nettement plus élevés, ce qui souligne sa transparence optique exceptionnelle. Cela en fait un candidat très prometteur pour les applications optoélectroniques nécessitant des propriétés de matériaux avancées.

Principaux avantages des produits SiC de JXT

Haute transparence et faible densité de défaut: la transmission exceptionnelle dans le spectre visible souligne le matériau et#39; S pour un large éventail d’applications optoélectroniques.

Qualité cristalline supérieure: la densité de défaut de point bas assure d’excellentes performances dans les environnements à haute température et à haute fréquence.

Fiabilité et cohérence: les résultats des tests du client confirment que les tranches SiC de JXT répondent aux normes de l’industrie pour différents paramètres techniques, jetant ainsi une base solide pour de futures collaborations.

Conclusion Conclusion

Les données de test et l’analyse graphique fournies par le client mettent en évidence les plaquettes SiC 4H-HPSI de JXT comme un produit remarquable en termes de transparence optique, de performances de réflexion et de qualité globale du matériau. Le wafer' S la transmission élevée et les faibles taux de réflexion sur une large gamme de longueurs d’onde le rendent idéal pour une utilisation dans les appareils optoélectroniques. De plus, par rapport à d’autres produits sur le marché, les plaquettes SiC de JXT surpassent clairement en termes de métriques clés, ce qui en fait un excellent choix pour les futures applications de semi-conducteurs de haute puissance et d’appareils optoélectroniques.

Les résultats prometteurs de cette évaluation réaffirment la position de JXT en tant que fournisseur de premier plan de matériaux SiC de haute qualité, prêt à répondre aux demandes croissantes des industries des semi-conducteurs et de l’électronique de puissance.