Dans l’industrie des semi-conducteurs,Plaquette semi-conducteurL’évaluation de la qualité est essentielle pour assurer la performance et la fiabilité des appareils. La compréhension et l’évaluation des divers paramètres sont essentielles pour maintenir des normes élevées. Voici quelques termes clés et leur importance dans l’évaluation de la qualité des plaquettes:

1. Orientation du cristal: il s’agit de la direction cristallographique dans laquelle la tranche est coupée, généralement indiquée par les indices de Miller (p. ex., <100>, <111>). Différentes orientations affectent la cristal' S résistance mécanique, mobilité des électrons et autres propriétés physiques.

2. Type de conductivité: Type de conductivité électrique dans une tranche de silicium, classé comme Type n (où les électrons sont les principaux vecteurs) ou Type p (où les trous sont les principaux vecteurs). Le type de conductivité est déterminé par dopage du silicium avec des éléments spécifiques, tels que le phosphore pour le type n et le bore pour le type p.

3. Impuretés dopants: éléments introduits intentionnellement dans le cristal pour contrôler ses propriétés électriques. Par exemple, le dopage au phosphore produit du silicium de type n, tandis que le dopage au bore produit du silicium de type p. Le type et la concentration de dopants ont une influence significative sur la plaquette.#39; S comportement électrique.

4. Résistivité: résistance du matériau au flux de courant électrique, généralement mesurée en ohm-centimètres (ω ·cm). La résistivité est influencée par la concentration de dopants et la présence de défauts cristallins.

5. Courbe de basculement pleine largeur à la moitié Maximum (FWHM): largeur de la courbe de basculement aux rayons x à la moitié de son intensité maximale, utilisée pour évaluer la grille cristalline.#39; S intégrité et état de déformation. Un FWHM plus étroit indique une meilleure qualité du cristal.

6. Densité de Dislocation: nombre de dislocations par unité de surface à l’intérieur du cristal. Une densité de dislocation élevée indique généralement un plus grand nombre de défauts, ce qui peut nuire aux performances et à la fiabilité des dispositifs à semi-conducteurs.

7. Dimension: le wafer' S diamètre et épaisseur. Les diamètres courants de plaquette incluent 150mm, 200mm, et 300mm. La précision des dimensions est cruciale pour la compatibilité avec les processus de fabrication.

8. Polissage de Surface: processus qui consiste à rendre la Surface de la plaquette lisse et plane par des moyens mécaniques ou chimiques. La qualité du polissage de surface a un impact direct sur la plaquette#39; S de surface et de planéité, qui sont critiques pour les étapes ultérieures de fabrication.

9. Rugosité de Surface: inégalité microscopique de la Surface de la plaquette, souvent quantifiée par des mesures quadratiques moyennes (RMS) ou de pointe à vallée (Ra). Une rugosité de surface inférieure est essentielle pour améliorer les performances et le rendement de l’appareil.

10. Planéité: planéité macroscopique de la surface de la plaquette, généralement mesurée par variation d’épaisseur totale (TTV) ou ondulation. La planéité élevée assure la précision des processus de photolithographie et de gravure.

Ces termes englobent un large éventail d’attributs, allant des dimensions physiques et des caractéristiques de surface à la structure interne. Ils servent d’indicateurs vitaux pour évaluer la qualité des plaquettes, garantissant que les plaquettes répondent aux exigences strictes de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs. La compréhension de ces paramètres permet de maintenir les normes élevées nécessaires à la production de composants électroniques fiables et performants.

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Plaquette en carbure de silicium (SiC Wafer)