Dans la production dePlaquettes en carbure de silicium (SiC), la surveillance et les tests des paramètres du procédé sont cruciaux pour garantir la qualité et les performances des plaquettes. Voici quelques termes pertinents et leurs explications:

1. Termes liés à la fabrication de plaquettes

Couche épitaxiale:Une couche monocristalline de haute qualité formée sur le substrat de carbure de silicium par le processus de croissance épitaxiale, couramment utilisé pour améliorer les performances de l’appareil.

Épaisseur épitaxiale:L’épaisseur de la couche épitaxiale, habituellement mesurée en nanomètres ou micromètres, qui doit être contrôlée avec précision pour répondre aux exigences de conception du dispositif.

Concentration de dopage:La concentration d’atomes dopants ajoutés à la couche épitaxiale ou au substrat, qui affecte la conductivité électrique du semi-conducteur.

Substrat:La plaquette en carbure de silicium qui sert de base à la croissance de la couche épitaxiale.

2. Termes liés aux paramètres de processus

Gradient thermique:Fait référence à la différence de température à différents endroits sur la plaquette pendant la croissance. Des gradients thermiques excessifs peuvent entraîner des défauts de cristaux.

Taux de croissance:La vitesse à laquelle la couche épitaxiale se développe, généralement mesurée en micromètres par heure. Un contrôle précis est nécessaire pour assurer la consistance de l’épaisseur de la couche épitaxiale.

Débit de gaz:La vitesse à laquelle les gaz sont fournis pendant la croissance épitaxiale, qui affecte l’uniformité de la réaction et la vitesse de croissance.

Pression de réaction:La pression à l’intérieur de la chambre de réaction pendant la croissance de la plaquette, qui influe sur le taux de croissance et la qualité de la couche épitaxiale.

Conductivité électrique:La capacité du matériau de la plaquette à conduire le courant électrique, influencée par la température, la concentration de dopage et la structure cristalline.

3. Termes liés à la détection et à la caractérisation des défauts

Densité de Dislocation:La densité des défauts cristaux dans la tranche, qui affecte généralement la fiabilité et les performances des dispositifs.

Défaut d’empilement:Désalinisation des atomes dans certaines régions du cristal, que l’on retrouve couramment dans les cristaux de carbure de silicium, affectant leur performance électrique.

Courant de fuite:Courant qui circule à travers un dispositif lorsqu’il est bidirectionnel, souvent utilisé comme paramètre d’évaluation de la qualité des plaquettes.

Dislocation du plan Basal (BPD):Un défaut qui se propage le long du plan basal (0001) du cristal de carbure de silicium, qui peut affecter le dispositif;#39; S rupture et fiabilité à long terme.

4. Termes liés aux tests et aux analyses

Photoluminescence (PL):L’invention concerne un procédé qui excite la plaquette avec de la lumière et détecte ses caractéristiques d’émission pour analyser les défauts et les concentrations d’impuretés.

Diffraction de rayons x (XRD):L’invention concerne une méthode d’essai utilisée pour analyser la structure cristalline et la qualité de la plaquette, en détectant des paramètres tels que l’orientation du cristal et la contrainte.

Microscopie à Force atomique (AFM):Utilisé pour mesurer la rugosité de surface et la morphologie microscopique de la plaquette.

Caractérisation du C-V:L’invention concerne une méthode utilisée pour analyser les propriétés électriques de la tranche, couramment utilisée pour détecter la distribution de la concentration de dopage.

5. Termes liés à la Surface et au nettoyage

Rugosité de Surface:L’inégalité microscopique de la surface de la plaquette, qui affecte la qualité du contact avec l’appareil et les étapes de traitement ultérieures.

Polissage mécanique chimique (CMP):Procédé qui utilise des méthodes mécaniques et chimiques pour planariser la surface de la plaquette et éliminer les défauts de surface.

Étape de nettoyage:L’invention concerne une procédure pour éliminer les impuretés et les contaminants de la surface de la plaquette afin d’assurer une grande pureté, en utilisant couramment des solutions acides ou basiques et de l’eau ultra-pure.

Ces termes jouent un rôle essentiel dans les différentes étapes de la fabrication des plaquettes en carbure de silicium et sont des facteurs clés dans le contrôle des processus et les tests de qualité.