En effet, la technologieGaN wafers a fait des progrès significatifs dans les dispositifs de puissance et de RF. Les dispositifs d’alimentation à base de gan ont le potentiel de fournir une plus grande efficacité, des vitesses de commutation plus rapides et une meilleure gestion thermique que les dispositifs d’alimentation traditionnels à base de silicium. Cela fait GaN waferIdéal pour diverses applications de haute puissance, telles que les voitures électriques, les onduleurs solaires et les centres de données.

Dans l’espace RF, la technologie GaN offre une densité de puissance et une efficacité élevées, ce qui la rend adaptée à une utilisation dans des applications à haute fréquence et à haute puissance. Les dispositifs RF à base de ganont été utilisés dans des applications militaires et de défense, ainsi que dans les systèmes de communication, tels que la technologie sans fil 5G.

Dans l’ensemble, l’utilisation du GaN dans les dispositifs de puissance et de RF a ouvert de nouvelles possibilités pour des systèmes électriques plus efficaces et plus efficaces. Cependant, il y a#Il est important de noter que le GaN est encore une technologie relativement nouvelle et qu’il peut y avoir des défis en termes de disponibilité, de normalisation et de coût.