Les plaquettes épitaxiales GaAs sont des matériaux semi-conducteurs avancés utilisés dans le développement de dispositifs électroniques à haute vitesse et à haute fréquence. GaAs signifie Arsenide de Gallium, et le processus de croissance épitaxiale implique le dépôt d’une mince couche de GaAs sur un matériau de substrat, généralement une plaquette de GaAs, en utilisant une méthode appelée épitaxie métal-organique de phase de vapeur (MOVPE).