Langue de travail
françaisfrançais
françaisfrançais
allemandallemand
japonaisjaponais

Suivez nous!

facebook linkdin twitter whatsapp

À propos de nous

About Us

Les Blogs

Classification et Applications des Orientations de cristaux d’oxyde de Gallium

Avis du comité économique et social, le 15 octobre. Favorable. 26 Dec 2024

L’oxyde de Gallium (Ga₂O₃), en tant que matériau semi-conducteur émergent à large bande passante, a attiré l’attention en raison de ses propriétés physiques exceptionnelles et de son large potentiel d’application. Les différentes orientations cristallines des plaquettes d’oxyde de gallium présentent des variations notables dans la mobilité des électrons, les propriétés optiques, la planéité de surface et d’autres caractéristiques, qui déterminent directement leurs avantages dans des domaines spécifiques. Cet article présente les orientations cristallines primaires des plaquettes d’oxyde de gallium et leurs applications.


Orientations cristallines primaires d’oxyde de Gallium


Les monocristaux d’oxyde de Gallium ont plusieurs orientations communes, notamment (010), (100), (001), (201) et ( 201). Ces orientations présentent des caractéristiques distinctes dans l’arrangement atomique de surface, les propriétés électriques, et les caractéristiques optiques, les rendant appropriés pour diverses exigences d’application.


(010) Orientation


Caractéristiques:

- haute mobilité des électrons;
- faible densité de défaut;
- excellente conductivité thermique.

Champs d’application:

- les dispositifs électroniques de puissance: tels que les transistors à effet de champ de haute puissance (fet) et les diodes Schottky (SBD).
- appareils de radiofréquence: adaptés aux applications à haute fréquence dans la communication 5G et les bandes d’ondes millimétriques.
- gestion thermique: utilisé pour étudier la gestion thermique dans des dispositifs de haute puissance.


(100) Orientation


Caractéristiques:

- planéité de surface élevée, adaptée à la croissance épitaxiale de film mince;
- propriétés optiques optimisées.

Champs d’application:

- détecteurs ultraviolets (UV) : exploiter les propriétés de large bande de l’oxyde de gallium pour une détection supérieure de la lumière UV.
- appareils optoélectroniques: tels que led UV et lasers.


(001) Orientation


Caractéristiques:

- symétrie cristalline Unique;
- propriétés optiques non linéaires exceptionnelles.

Champs d’application:

— dispositifs optiques non linéaires: pour la conversion optique de fréquence (par exemple, doublement de fréquence et génération de fréquence additionnelle).
- communication optique: convient aux modulateurs optiques et aux dispositifs de guidage d’ondes.


(201) Orientation


Caractéristiques:

- excellente performance de polissage mécanique chimique (CMP);
- approprié au traitement industriel à grande échelle.

Champs d’application:

- dispositifs à semi-conducteurs de puissance: largement utilisés dans les transistors et les diodes de haute puissance.
- détecteurs ultraviolets: appliqués dans l’aérospatiale et les capteurs de haute précision.
- films épitaxiaux minces: servant de substrats pour une croissance épitaxiale de haute qualité.


([unused_word0006] 201) Orientation


Caractéristiques:

- haute mobilité des électrons;
- propriétés de surface uniques.

Champs d’application:

- les dispositifs de puissance à haute fréquence: tels que les transistors de radiofréquence et les amplificateurs à micro-ondes.
- recherche avancée sur les appareils électroniques: pour optimiser la conception des appareils et explorer les différences de performances électriques entre les orientations.



Autres Orientations spéciales (p. ex. (110), (111))


Caractéristiques:

- certaines orientations présentent un potentiel unique en propriétés optiques et électriques.

Champs d’application:

- dispositifs photoniques: tels que les guides d’ondes optiques et les filtres.
- recherche fondamentale: pour une exploration approfondie de la physique des surfaces et des mécanismes de défauts.




Principales raisons des Applications spécifiques à l’orientation



Différences dans la Structure cristalline et les performances


Les Variations dans l’arrangement atomique de surface et la force de liaison selon les orientations conduisent à des différences dans la mobilité des électrons, les constantes diélectriques, l’interpolation optique, et d’autres propriétés. Par exemple, l’orientation (010) est largement utilisée dans les appareils électroniques de puissance en raison de sa grande mobilité.


Exigences de l’appareil


Les exigences en matière de performance varient d’un appareil à l’autre. Par exemple, les dispositifs d’alimentation nécessitent des orientations avec une grande mobilité et une faible densité de défauts, tandis que les dispositifs optiques mettent l’accent sur la transparence et les propriétés optiques non linéaires.


Compatibilité avec la croissance épitaxiale


L’orientation du cristal a un impact significatif sur la qualité des films minces épitaxiaux et la densité des défauts d’interface. Des orientations spécifiques, telles que (100), conviennent mieux à la croissance de couches épitaxiales de haute qualité.


Faisabilité des Techniques de traitement


L’orientation du cristal affecte la planéité et l’efficacité de processus comme le polissage mécanique chimique (CMP). Par exemple, l’orientation (201) est préférée pour ses excellentes caractéristiques de traitement dans les applications industrielles.

---


Conclusion Conclusion


En tant que matériau semi-conducteur à large bande passante, les diverses caractéristiques d’orientation des cristaux de l’oxyde de gallium offrent un large champ d’action pour la conception et le développement de dispositifs à haute performance. En utilisant sélectivement des orientations spécifiques, les propriétés physiques du matériau peuvent être pleinement exploitées pour répondre aux exigences techniques de divers domaines. Des dispositifs électroniques de puissance aux composants optoélectroniques et à la recherche scientifique fondamentale, la flexibilité et la personnalisation des orientations de cristaux d’oxyde de gallium conduisent sans aucun doute à de nouveaux progrès dans les technologies connexes.


Partager avec nous
2022 © SiC Wafers et GaN Wafers fabricant     Alimenté parBontop