Langue de travail
françaisfrançais
françaisfrançais
allemandallemand
japonaisjaponais

Suivez nous!

facebook linkdin twitter whatsapp
Partager avec nous

β-Ga2O3 substrat

Informations spécifiques
Les monocristaux β-Ga2O3 de haute qualité sont cultivés par la croissance film-alimentée définie par bord (EFG). β-Ga2O3 a le très grand espace de bande passante, ainsi il peut être employé pour les dispositifs de puissance, les détecteurs ultraviolets, et les détecteurs de rayon à haute énergie. β-Ga2O3 semble également prometteur pour les applications de dispositifs de commutation de puissance en raison de son champ électrique de panne extrêmement important et de la disponibilité de gros diamètre.
Commander sur EBAY Obtenez un devis gratuit
  • spécification
  • propriétés
  • Article:Substrat d’oxyde de Gallium (β-Ga2O3<001> Substrat)
    diamètre50,8 ± 0,5 mm100.......0±0.5mm
    epaisseur650±30μm650±30μm
    Orientation de Surface(001)± 1,0 °
    Orientation plate primaire(100)± 1,0 °
    Longueur plate primaire16,0 ± 2,5 mm32,5 ± 2,5 mm
    Orientation plate secondaire(010)± 1,0 °
    Longueur plate secondaire8,0 ± 2,5 mm18,0 ± 2,5 mm
    Type de ConductionType n
    DopantDopage sn-dopage
    Finition de Surface avantPlan de gestion
    Finition de Surface arrièrePlan de gestion
    Marque LaserN/ d
    FWHM(100):<350arcsec; (010):<350arcsec
    Le TTV≤10mm≤20mm
    Exclusion de bord≤3mm


    Spécifications de personnalisation:

    * * * * * * * * * 2~4inch Ga2O3 sur Ga2O3 Homoepitaxial wafer(par HVPE & MBE).

    Diverses tailles et formes telles que 5*5mm,10*10mm.

    * diverses orientations telles que (100),(010),(-201).

    * divers types comme Fe-doped,Si-doped,undoped

    * diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage, le polissage.


  • Voir A aussi: (Ga2O3) voir aussi: est Les nations unies ⊑ inorganique Et bEt en pluse passante ultralarge de plus de 4.5 eV semi-C C conducteur. Il existe cinq types de Ga2O3 Polymorphes (α,β β β β β β β,γ,δ,ε), et la β La phase Avec un point de fusion de 1900 ˚C est le plus Formulaire. β-Ga2O3 stable A le β- gallie Structure monoclinique avec des constantes de grille de 1.22nm, 0.3nm, et 0.58nm Dans le monde A,b,c Axes, et l’angle entre les a Et en plus c Axes est d’environ 104°.


    Structure cristallinemonoclinique
    Constante de grille (nm)A = 12.23-sp
    D = 3.04[unused_word0004] 
    C = 5.80emon
    ⊑ (g/cm)3)Taux de croissance
    Point de fusion (℃)1900
    Mohs (Mohs)5 ⊑ 6
    Constante di[unused_word0006]10
    De bande (eV)4,8 et 4,8
    Champ emon de panne (MV/cm)Taux de croissance annuel
    Conductior de chaleur (W/cm.K)0.11-0.27
    Expansion thermique D = 4.790emon 10- - - - - - -/k
    D = 5.45emon 10-6 -6 -6/k
    C = 5.35[unused_word0006] 10-6/k


Produits recommandés

2022 © SiC Wafers et GaN Wafers fabricant     Alimenté parBontop