Article: | Substrat d’oxyde de Gallium (β-Ga2O3<001> Substrat) | |
diamètre | 50,8 ± 0,5 mm | 100.......0±0.5mm |
epaisseur | 650±30μm | 650±30μm |
Orientation de Surface | (001)± 1,0 ° | |
Orientation plate primaire | (100)± 1,0 ° | |
Longueur plate primaire | 16,0 ± 2,5 mm | 32,5 ± 2,5 mm |
Orientation plate secondaire | (010)± 1,0 ° | |
Longueur plate secondaire | 8,0 ± 2,5 mm | 18,0 ± 2,5 mm |
Type de Conduction | Type n | |
Dopant | Dopage sn-dopage | |
Finition de Surface avant | Plan de gestion | |
Finition de Surface arrière | Plan de gestion | |
Marque Laser | N/ d | |
FWHM | (100):<350arcsec; (010):<350arcsec | |
Le TTV | ≤10mm | ≤20mm |
Exclusion de bord | ≤3mm |
Spécifications de personnalisation:
* * * * * * * * * 2~4inch Ga2O3 sur Ga2O3 Homoepitaxial wafer(par HVPE & MBE).
* Diverses tailles et formes telles que 5*5mm,10*10mm.
* diverses orientations telles que (100),(010),(-201).
* divers types comme Fe-doped,Si-doped,undoped
* diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage, le polissage.
Voir A aussi: (Ga2O3) voir aussi: est Les nations unies ⊑ inorganique Et bEt en pluse passante ultralarge de plus de 4.5 eV semi-C C conducteur. Il existe cinq types de Ga2O3 Polymorphes (α,β β β β β β β,γ,δ,ε), et la β La phase Avec un point de fusion de 1900 ˚C est le plus Formulaire. β-Ga2O3 stable A le β- gallie Structure monoclinique avec des constantes de grille de 1.22nm, 0.3nm, et 0.58nm Dans le monde A,b,c Axes, et l’angle entre les a Et en plus c Axes est d’environ 104°.
Structure cristalline | monoclinique |
Constante de grille (nm) | A = 12.23-sp |
D = 3.04[unused_word0004] | |
C = 5.80emon | |
⊑ (g/cm)3) | Taux de croissance |
Point de fusion (℃) | 1900 |
Mohs (Mohs) | 5 ⊑ 6 |
Constante di[unused_word0006] | 10 |
De bande (eV) | 4,8 et 4,8 |
Champ emon de panne (MV/cm) | Taux de croissance annuel |
Conductior de chaleur (W/cm.K) | 0.11-0.27 |
Expansion thermique | D = 4.790emon 10- - - - - - -/k |
D = 5.45emon 10-6 -6 -6/k | |
C = 5.35[unused_word0006] 10-6/k |