| Article: | Substrat d’arsenide de Gallium (2~6inch) | |||
| diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | 100.0±0.3mm | 150.0±0.5mm |
| epaisseur | 350±25μm | 350±25μm | 350±25μm | 675±25μm |
| Orientation de Surface | (100) 15.0˚± 1.0˚ vers (111) | <100>±1.0° | ||
| Orientation plate primaire | EJ<0-1-1>±1.0° | |||
| Longueur plate primaire | 12,0 ± 1,5 mm | 2,0 ± 2,0 mm | 32,0 ± 2,0 mm | encoche |
| Orientation plate secondaire | EJ<0-1 1>±1.0° | N/ d | ||
| Longueur plate secondaire | 7,0 ± 1,5 mm | 12,0 ± 2,0 mm | 18,0 ± 2,0 mm | N/ d |
| Finition de Surface avant | épi-poli | |||
| Finition de Surface arrière | SSP: gravé; DSP: épi-poli | |||
| Marque Laser | Côté arrière | |||
| Le TTV | ≤10μm | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| arc | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm |
| La chaîne | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm | ≤30μm |
| Exclusion de bord | ≤3mm | |||
| Application | Conductivité pour LED | Conductivité pour LD | Semi-isolant pour la microélectronique | |
| Type de Conduction | Type n | Type n | isolant | |
| Dopant | Si- dopage | Si- dopage | Non dopé | |
| résistivité | (1~9) e-3ω ·cm | (1~9) e-3ω ·cm | > 1e7ω ·cm | |
| Densité de la fosse de gravure (EPD) | <5000>2 | <500>2 | <5000>2 | |
| Concentration des transporteurs | (0,4 ~4)E18/cm3 | (0,4 ~ 2,5)E18/cm3 | N/ d | |
| mobilité | >1000cm2/v.s | 1500~3000cm2/v.s | >4000cm2/v.s | |
personnalisation Caractéristiques:
* diverses tailles et formes telles que 10*10mm.
* divers types: comme P-Type(Zn-doped)
* diverses orientations telles que (111),(110), hors axe :2°/6°/10°.
* diverses rugosités de surface telles que le tranchage, le rodage.
* les lingots de cristal GaAs sont disponibles.
Voir aussi: Est un emon emon emon emon emon emon emon Est un blende de zdansc Structure cristalline, et un solide noir-gris avec un point de fusion de1238 °C. Il est stable Au-dessous de 600°C et n’est pas corrodérée par des acides non oxydants. Comparé au silicium monocristalline (Si) voir aussi:, il appartient à la deuxième génération de matériaux semi-conducteurs et est également un III-V ⊑ de bande directe Semi-conducteur.
L’armature de Gallium (GaAs) à un [unused_word0006] de bande directe, une ningué ningué plus ningué, ningué haute ningué ningué faible bruit, et une ningué de conversion ningué et d’autres avantages in Comparaison avec le silicium (Si).
| Structure cristalline | À cubique |
| Constante de grille (nm) | A =5,6 % de la population534 [unused_word0006] |
| ⊑ (g/cm)3) | 5,316 lires: 5,316 lires: 5,316 lires: |
| Point de fusion (℃) | 1238 |
| Mohs (Mohs) | 5,6 % de la population |
| Constante di[unused_word0006] | 13.1 de la production |
| De bande (eV) | 1 424 1 424 1 424 |
| Champ emon de panne (MV/cm) | 3,3 et 4 |
Conductifiér thermique(W/cm.K) | 0.55-0.55 |
| Expansion thermique | 5,8 *106 -6/k |
| Indice de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa de tasa | 3.24-3.33 |
