Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur populaire connu pour ses excellentes propriétés mécaniques, thermiques et électriques. Il est largement utilisé dans la production de divers dispositifs électroniques, y compris des diodes, des MOSFETs et de l’électronique de puissance.Plaquette de substrat SiCDisponible en différentes structures cristallines, y compris 6H et 4H. Bien que les deux structures soient populaires, elles ont leurs propres avantages et inconvénients.

Les structures SiC 6H et 4H diffèrent par leur séquence d’empilement et leur symétrie cristalline. La structure 6H SiC a un réseau hexagonal avec des couches alternées d’atomes de silicium et de carbone disposés dans une symétrie 6 fois. D’autre part, la structure 4H SiC présente une symétrie cristalline tétraédrique avec des couches alternées d’atomes de silicium et de carbone disposés dans une symétrie 4 fois. Les différences dans la symétrie cristalline et la séquence d’empilement donnent à chaque structure son propre ensemble unique de propriétés et de caractéristiques.

6H SiC a une conductivité thermique plus élevée que 4H SiC, ce qui le rend idéal pour les applications à haute température. Il a également une concentration de support intrinsèque plus faible, ce qui signifie qu’il peut gérer des champs électriques plus élevés sans subir de panne. Cependant, il a une mobilité électronique plus faible, ce qui le rend moins adapté aux applications à haute fréquence.

4H SiC, d’autre part, a une mobilité électronique plus élevée que 6H SiC, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence. Il a également un espace de bande passante plus large que 6H SiC, ce qui signifie qu’il peut fonctionner à des températures plus élevées et gérer des tensions plus élevées. Cependant, il a une conductivité thermique inférieure à 6H SiC, ce qui le rend moins adapté aux applications à haute température.

En termes de traitement, 6H SiC est plus facile à cultiver et à traiter que 4H SiC. Il a un taux de croissance plus élevé et une densité de défaut plus faible, ce qui le rend plus rentable pour la production à grande échelle. 4H SiC, par contre, est plus difficile à développer et à traiter en raison de sa densité de défauts plus élevée et de son taux de croissance plus faible. Cependant, ses propriétés électriques supérieures le rendent idéal pour les applications à haute performance.

En résumé, le choix entre 6H et 4H SiC dépend des exigences spécifiques de l’application. 6H SiC est idéal pour les applications à haute température qui nécessitent une conductivité thermique élevée, tandis que 4H SiC est idéal pour les applications à haute fréquence qui nécessitent une mobilité électronique élevée. Alors que 6H SiC est plus facile à cultiver et à traiter, 4H SiC a des propriétés électriques supérieures qui le rendent approprié aux applications de haute performance.