La technologie des plaquettes au carbure de silicium (SiC) est la clé du déverrouillage de l’électronique de puissance à haut rendement. SiC possède des propriétés matérielles uniques qui permettent des densités de tension et de courant plus élevées, une stabilité à la température plus élevée et des vitesses de commutation plus rapides que l’électronique de puissance traditionnelle à base de silicium.

Ces propriétés se traduisent par des avantages significatifs dans les applications de l’électronique de puissance. Par exemple, les onduleurs à base de silicium utilisés dans les systèmes d’énergie solaire peuvent atteindre 99% d’efficacité, contre environ 97% pour les onduleurs à base de silicium. En électronique de puissance EV,Gaufrettes SiCPermet une charge plus rapide, une plus grande portée et des composants plus petits et plus légers.

Les avantages des plaquettes SiC stimulent la croissance et l’investissement dans l’industrie des plaquettes SiC. Selon un rapport de MarketsandMarkets, le marché mondial des tranches SiC devrait passer de 555millions en 2020 à 1,3 milliard d’ici 2025, à un taux de croissance annuel composé (tca) de 18,1%.

Plusieurs entreprises élargissent leur capacité de production de plaquettes SiC pour répondre à la demande croissante. Par exemple, Cree, l’un des principaux fabricants de plaquettes SiC, prévoit augmenter sa capacité de production de plaquettes SiC de plus de 30 fois d’ici 2024.

En plus d’augmenter la capacité de production, les entreprises investissent également dans la recherche et le développement afin d’améliorer la technologie SiC wafer. Cela comprend le développement de nouveaux procédés de fabrication pour réduire les coûts, l’exploration de nouveaux substrats pour les plaquettes SiC et l’optimisation de la conception des dispositifs pour des applications spécifiques.

En conclusion, la technologie SiC wafer est la clé pour déverrouiller l’électronique de puissance à haut rendement dans une variété d’applications. La demande croissante pour les tranches de SiC, combinée à l’augmentation de la capacité de production et à la recherche et au développement continus, devrait stimuler l’innovation et la croissance continues dans l’industrie des tranches de SiC.