Les plaquettes épitaxiales en carbure de silicium (SiC) ont des caractéristiques uniques qui les rendent hautement souhaitables dans l’industrie des semi-conducteurs. Ici et ici#Voici quelques unes de ces caractéristiques:

Large bande passante: SiC a un large bande passante de 2,2 eV à 3,4 eV, en fonction de la structure cristalline, qui est significativement plus élevé que le silicon' S 1.1 eV. Ce large espace de bande passante permet aux appareils à base de si de gérer une puissance élevée et de fonctionner à des températures élevées tout en réduisant les pertes de puissance et en augmentant l’efficacité.

Conductivité thermique élevée:Plaquettes épitaxiales SiCPrésentent une conductivité thermique élevée, ce qui leur permet de dissiper la chaleur efficacement. Cette propriété est particulièrement importante pour l’électronique de haute puissance et les dispositifs de puissance, où la gestion thermique est cruciale.

Haute stabilité chimique: SiC est très résistant à la dégradation chimique et à l’oxydation dans des environnements à haute température et difficiles, ce qui le rend idéal pour des applications dans des conditions extrêmes, comme dans les réacteurs nucléaires ou l’aérospatiale.

Propriétés mécaniques robustes: les plaquettes épitaxiales SiC sont également connues pour leur résistance et leur dureté, ce qui les rend résistantes aux contraintes mécaniques et à l’usure. Cette propriété contribue à leur durabilité et à leur fiabilité à long terme.

Force de champ de décomposition élevée: SiC a une force de champ de décomposition élevée d’environ 10 MV/cm, par rapport au silicon' S 0,3 MV/cm. Cela rend les appareils à base de si plus robustes et capables de gérer des niveaux de tension plus élevés.

Dans l’ensemble, les propriétés uniques des plaquettes épitaxiales SiC les rendent bien adaptées à une gamme d’applications dans l’industrie des semi-conducteurs, telles que l’électronique de puissance, les dispositifs de haute puissance, et les applications à haute température et dans des environnements difficiles. Alors que la demande pour des composants électroniques plus efficaces et plus robustes continue de croître, les plaquettes épitaxiales SiC devraient devenir encore plus répandue dans l’industrie des semi-conducteurs.